Los Investigadores Demuestran Electroluminescence usando Matrices Altamente Alineadas de SWNTs

Published on September 8, 2009 at 8:31 PM

Los transistores del Efecto De Campo (FETs) basados en los nanotubes único-emparedados del carbón (SWNTs) exhiben un rango de efectos optoelectrónicos incluyendo electroluminescence del infrarrojo cercano.

Manchas de la Emisión: Una imagen compuesta del electroluminescence de un arsenal de nanotubes del carbón durante una exploración del voltaje de la entrada.

Los resultados del efecto de la inyección de agujeros y de electrones de los electrodos opuestos en el nanotube, donde recombinan y emiten la luz.

Los Avances en la comprensión del transporte de la carga y de los factores que afectan a eficiencia del electroluminescence en SWNTs son necesarios desarrollar fuentes de luz del nanoscale.

Los Investigadores en el Centro de Argonne para los Materiales de Nanoscale, trabajando con los científicos en la Universidad de Illinois en el Urbana-Chamán, han demostrado electroluminescence usando matrices altamente alineadas de SWNTs. Usando los electrólitos en vez del óxido tradicional los dieléctricos facilitan la inyección y la acumulación de altas densidades de agujeros y de electrones en los voltajes muy inferiores de la entrada.

Las manchas Numerosas de la emisión correspondiente a nanotubes individuales fueron observadas.

La tuneabilidad Adicional de las propiedades optoelectrónicas es lograda introduciendo capas delgadas de HfO2 y de TiO2 al dieléctrico de la entrada.

Más información: J. Zaumseil, X. Ho, J.R. Guest, G.P. Wiederrecht, J.A. Rogers, ACS Nano, DOI: 10.1021/nn9005736

Last Update: 13. January 2012 17:03

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