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研究人员展示用的单壁碳纳米管的高不结盟阵列的电致发光

Published on September 8, 2009 at 8:31 PM

基于单壁碳纳米管(SWNTs)的场效应晶体管(FET)展示一系列包括近红外电致发光的光电效应。

发射点:一个从碳纳米管阵列在栅极电压扫描电复合图像。

从注射到纳米管,他们重组和发光孔和从相反电极的电子效应的结果。

电荷传输的理解和在单壁碳纳米管的电致发光效率的影响因素,进展是必要的,以开发纳米级光源。

阿贡国家实验室纳米材料中心 ,在研究人员在伊利诺伊大学Urbana - Champaign分校的科学家一道,已经证明使用单壁碳纳米管阵列高度对齐的电致发光。使用,代替传统的氧化电介质的电解质,有利于在非常低的栅极电压,高密度的空穴和电子的注入和积累。

相应的个别纳米管的大量排放点进行观察。

额外的可调谐的光电特性是通过引入栅介质氧化铪和TiO2薄层。

更多信息:J. Zaumseil X.何JR来宾,GP Wiederrecht,JA罗杰斯,ACS纳米, 作者:10.1021/nn9005736

Last Update: 15. October 2011 19:39

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