基于单壁碳纳米管（SWNTs）的场效应晶体管（FET）展示一系列包括近红外电致发光的光电效应。
发射点：一个从碳纳米管阵列在栅极电压扫描电复合图像。
从注射到纳米管，他们重组和发光孔和从相反电极的电子效应的结果。
电荷传输的理解和在单壁碳纳米管的电致发光效率的影响因素，进展是必要的，以开发纳米级光源。
阿贡国家实验室纳米材料中心 ，在研究人员在伊利诺伊大学Urbana - Champaign分校的科学家一道，已经证明使用单壁碳纳米管阵列高度对齐的电致发光。使用，代替传统的氧化电介质的电解质，有利于在非常低的栅极电压，高密度的空穴和电子的注入和积累。
相应的个别纳米管的大量排放点进行观察。
额外的可调谐的光电特性是通过引入栅介质氧化铪和TiO2薄层。
更多信息：J. Zaumseil X.何JR来宾，GP Wiederrecht，JA罗杰斯，ACS纳米， 作者：10.1021/nn9005736