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研究人員展示使用的單壁碳納米管的高不結盟陣列的電致發光

Published on September 8, 2009 at 8:31 PM

基於單壁碳納米管(SWNTs)的場效應晶體管(FET)展示一系列包括近紅外電致發光的光電效應。

發射點:一個從碳納米管陣列在柵極電壓掃描電致發光的複合圖像。

從注入孔和成納米管,他們重組和發光從相反電極的電子效應的結果。

電荷傳輸的理解和在單壁碳納米管的電致發光效率的影響因素,進展是必要的,以開發納米級光源。

阿貢國家實驗室納米材料中心 ,在研究人員在伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校的科學家一道,已經證明了使用單壁碳納米管陣列高度對齊的電致發光。方便使用,取代傳統的氧化電介質的電解質注入空穴和電子在非常低的柵極電壓的高密度和積累。

相應的個別納米管的大量排放點進行觀察。

額外的可調諧的光電特性是通過引入柵介質氧化鉿和TiO2薄層。

更多信息:J. Zaumseil X.何JR來賓,GP Wiederrecht,JA羅傑斯,ACS納米, 作者:10.1021/nn9005736

Last Update: 7. October 2011 18:11

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