Carl Zeiss introducerer næste generation af AIMS Mask Qualification System

Published on September 14, 2009 at 3:33 AM

På fotomaske Technology Conference 2009 i Monterey / CA Carl Zeiss introducerer den næste generation af deres aktiniske FORMÅL ™ masken kvalifikationsordning. FORMÅL ™ 32-193i emulerer billeddannelse af fotomasker med førende 193nm fordybelse scannere til 32nm node og udenfor. Den første levering til en forkant kunde er planlagt til september 2009.

Aktinisk Mask Qualification System FORMÅL 32-193i.

Den Aerial Billede måleteknologi fra Carl Zeiss er blevet væsentligt avanceret til muliggør nøjagtig emulering af 32nm litografi teknikker såsom dobbelt mønster Technology, Kilde Mask Optimering og Computational Litografi.

Komplekse maske design sammen med strammere CD specifikationer resulterer i nye udfordringer for fotomaske uddannelse med hensyn til repeterbarhed og billedkvalitet. Den FORMÅL ™ 32-193i er specielt designet til en cd repeterbarhed specifikationen nedenfor 0.25nm på wafer-niveau svarende til 1.00nm på maske-niveau. "Baseret på den brede ekspertise fra Carl Zeiss med scanner linse teknologier vi indført en ny Lito ™ klasse optik på AIMS ™ 32-193i sikre scanner-lignende imaging performance", sagde Dr. Oliver Kienzle, administrerende direktør for Carl Zeiss Semiconductor Metrologi Systems division. "Systemet omfatter nu interferometrisk scenen teknologien til yderligere præcision i masken positionering."

Et avanceret lys-system gør det muligt for emulering af alle former for 193nm belysning indstillinger. For første gang i AIMS ™ historie variabel transmission i belysning eleven er nu tilgængelig med AIMS ™ 32-193i. Mens tidligere FORMÅL ™ generationer var begrænset til en binær intensiteten fordeling af geometrisk sigma blænde beskrivelse belysningen ordningen kan nu blive fastlagt med varierende gråtoner intensitet som i de mest avancerede scannere. Sådanne belysning ordninger kan fleksibelt justeres til forskellig intensitet uddelingerne i elev.

Således AIMS ™ 32-193i muliggør nøjagtig maske defekt disposition og reparation kvalificering til 32nm masker og sikrer indførelsen af ​​kommende litografi teknologier som dobbelt mønster, Computational litografi (Inverse Litho Technology) og Source Mask Optimization (SMO).

Last Update: 26. October 2011 15:11

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit