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卡爾蔡司推出新一代旨在面膜資格制度

Published on September 14, 2009 at 3:33 AM

在光掩膜技術大會2009年在蒙特雷/ CA卡爾蔡司介紹他們的光化目標的下一代™掩模資格制度。 AIMS™32 - 193i模擬的具有領先優勢的32nm節點及以後的193nm浸沒式掃描儀的光掩膜成像。領先優勢客戶首次交付定於 2009年9月。

光化面膜資格制度的目的32 - 193i。

卡爾蔡司的航空影像測量技術已顯著先進的32納米光刻技術,如雙圖形技術,源面膜優化和計算光刻,使準確的仿真。

複雜的光罩設計加上嚴格的CD規格,在重複性和圖像質量方面的新的挑戰與光罩資格。的目的™32 - 193i已專門設計的晶圓級當量低於 0.25nm的CD重複性規範掩模層次 1.00nm。 “卡爾蔡司與掃描儀的鏡頭技術的廣泛的專業知識的基礎上,我們介紹了AIMS的一個新的利托™級光學™32 - 193i確保掃描儀般的成像性能的博士說:”奧利弗 KIENZLE,卡爾蔡司半導體計量系統部總經理。 “目前,該系統包括面具定位精度進一步干涉階段的技術。”

一個先進的照明系統使193nm的照明設置各種仿真。對於首次在AIMS™歷史變速傳動的照明瞳孔現已與 AIMS™32 - 193i。雖然以前的目標™幾代人是有限的照明計劃,現在可以用不同的灰度強度定義為在最先進的掃描儀的一個幾何西格瑪光圈描述的二進制強度分佈。這種照明計劃,可以靈活調整瞳孔內的不同強度分佈。

因此,目標™32 - 193i能提供準確的掩模缺陷處置和維修資格的32nm口罩,並確保即將到來的光刻技術,如雙圖案,計算光刻(逆光刻技術)和源面具優化(SMO)的引進。

Last Update: 6. October 2011 15:09

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