Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

KLA-Tencor Вводит Teron 600 Систем Контроля Дефекта Перекрещения

Published on September 14, 2009 at 8:01 PM

Сегодня KLA-Tencor Корпорация (NASDAQ: KLAC), поставщик мира ведущий управления производственным процессом и разрешения управления выхода для полупроводника и родственных индустрий, ввели Teron системы контроля дефекта перекрещения 600 Серий (маски). Адресующ главный переход в конструкции маски на узле логики 2Xnm (память половин-тангажа 3Xnm), новая платформа Teron 600 введет programmable возможность блок развертки-освещения и предложит значительно улучшения в чувствительности и вычислительной силе над настоящей платформой индустриального стандарта, TeraScanTMXR литографированием. Эти выдвижения необходимы для того чтобы включить развитие и изготавливание новаторских перекрещений которые различают узел 2Xnm.

Teron KLA-Tencor новое 600 рационализаторств характеристик платформы осмотра дефекта перекрещения в воображении и вычислительном литографировании, позволяющ изготовления маски развить и произвести перекрещения для того чтобы поддержать большое разнообразие предложенных технологий литографированием 2Xnm. (Фото: Провод Дела)

Традиционно конструкторы маски начинали с картиной маски которая смотрит как картина вафли цели, делая малые регулировки к характеристикам маски (оптически коррекции близости или OPC) до тех пор пока пожеланные структуры вафли не будут достиганы. Этот подход начинает ломать вниз на узле 2Xnm, как последствие расширять литографирование 193nm в весьма режим sub-длины волны. Таким Образом, на узле 2Xnm, вычислительные методы литографированием как Обратная Технология Литографированием (ILT) и Оптимизирование Маски Источника (SMO) будут жизнеспособными. ILT типично производит сложную картину маски при большое количество очень малых характеристик, делая маску трудной изготовить. Для того чтобы осложнить дела даже продвиньте, Оптимизирование Маски Источника (SMO) включает высчитать неединобразный профиль интенсивности для источника блока развертки. Тот профиль конструирован для работы вместе с маской ILT поставить оптимальные литографские результаты на вафле.

«Огромное изменение в стратегии перекрещения для поколения прибора 2Xnm создавало скачкообразность в осмотре дефекта перекрещения,», котор заметили Брайан Haas, недостаток - президент и генеральный директор Перекрещения и Разделения Осмотра Photomask на KLA-Tencor. «Характеристики перекрещения гораздо малее чем вы предсказали бы от 3Xnm к сокращению 2Xnm. В добавлении, картина маски так сломана которой она больше не возможна для инженера посмотреть положение дефекта перекрещения и решить ли правоподобно для того чтобы напечатать на вафл-и потенциально причинить катастрофическую потерю выхода в сказочном. Для узла 2Xnm, мы должны мочь input изготовленный на заказ профиль освещения блока развертки, учитываем влияния поляризации и фоторезист, и rigorously высчитываем удар дефекта перекрещения на вафле. Teron 600 leverages прочность KLA-Tencor в вычислительном литографировании и наш опыт от начинать и изготовлять 6 поколений платформ осмотра перекрещения. В результате весьма высок-разрешение, малошумная система контроля перекрещения, оборудованная для новых возможностей 2Xnm. Большое достижение для KLA-Tencor которому мы верим большуще будем позволять для наших клиентов и индустрии.»

Платформа Teron 600 также была конструирована для гибкости и extendibility. Система успешно проверила созданные перекрещения прототипа для ILT/SMO, двойн-делая по образцу литографирования (DPL), и EUV (маски и пробелы). Система проектирована для того чтобы быть extendible к разрешениям потенциала 1Xnm оптически. Сверх Того, Teron 600 Серий может работать с TeraScan KLA-Tencor системы контроля дефекта перекрещения 500 Серий в стратегии смешивани-и-спички, обеспечить рентабельное разрешение для изготовляя комплектов photomask которые включают и критические и некритические слои.

Новое Teron системы контроля дефекта перекрещения 600 Серий включит несколько характеристик конструированных для того чтобы включить продукцию предварительных оптически маск и развитие маск EUV, включая:

  • Новая длина волны 193nm, более малый пиксел, улучшенная обработка изображений и ультра-низкая деятельность шума для предусмотрения осмотра плоскости перекрещения высок-разрешения (RPI);
  • работающие режимы Плашк-к-Базы данных и плашк-к-плашки, включающ захват дефекта повсеместно в плашка и на обширном ряде планов перекрещения;
  • осмотр Вафл-Плоскости (WPI) для прогноза printability дефекта перекрещения, завершает с thresholding фоторезиста и моделированием огибания sub-длины волны и влияний поляризации;
  • Новая пользовател-конфигурируемая модель освещения блока развертки, включающ прогноз printability дефекта перекрещения когда будут снабжены SMO, ILT или другая нештатная геометрия освещения блока развертки;
  • фильтровать Воздушн-Плоскости дефектов досады, облегчающ предыдущее отростчатое развитие и более быстрое время цикла во время продукции маски; и
  • Совместимость между платформами Teron и TeraScan, для оптимизирования емкости и эффективного внедрения данных от критических и некритических слоев.

Для больше информации на как Teron системы контроля дефекта перекрещения 600 Серий позволяет изготовления photomask произвести и грузить маски свободно от printable дефектов на узле 2Xnm, пожалуйста посетите страницу сети продукта на: http://www.kla-tencor.com/reticle/teron-600.html.

Last Update: 13. January 2012 19:05

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit