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首先,从卡尔蔡司光学系统的交付加盟关于EUV光刻技术的利好消息列表

Published on September 16, 2009 at 8:27 AM

卡尔蔡司 ,世界领先的芯片制造光学系统的制造商,目前已交付一个完整的光学系统,为生产准备的极端紫外线光刻技术(EUVL),芯片制造新技术。这种光学系统形成了一个从荷兰制造商和长期合作伙伴,卡尔蔡司,ASML第一EUVL生产系统的核心模块。提供完整的极紫外光刻系统,每小时60片晶圆的速度开始,计划在2010年下半年。它是用于微芯片在20纳米范围内的生产与结构

“15年前,我们推出了EUV光刻技术的研究和发展,已远远超过100万从那时起欧元的投资,”报告,EUV技术在奥伯科亨卡尔蔡司SMT项目主任彼得库尔兹博士。 “迄今为止,ASML公司已安装在全球各地两个过程的开发工具。现在,在使用微芯片的批量生产指日可待。“

这项技术,库尔兹彼得和他的团队在2007年德国联邦总统未来奖提名,已共有超过20万欧元的经费由德国教育和研究部的发展在欧洲的水平,提供长期持续小型化的芯片结构的潜力。它采用13.5纳米的近15倍,比目前使用的193纳米技术短的曝光波长。这短短的曝光波长下,有可能以减少大小的芯片结构和提高他们的堆积密度。

ASML公司已收到5 EUVL生产系统的订单,从2010年开始交付。 “基督教瓦格纳,ASML公司的高级产品经理,说:”我们最近所取得的成功是重要的里程碑,这表明,极紫外光刻是作为一个具有成本效益的单一图形技术的进展非常顺利。EUVL携带超出摩尔定律在下一个十年的分辨率。

关于发展的极紫外光刻的另一个利好消息的公布,在过去几周的理由乐观。比利时IMEC研究所(鲁汶),例如,最近报道的成功生产22纳米的SRAM细胞使用EUV技术的过程中发展的工具,安装在其设施。与以前的技术节点相比,这导致在芯片表面的44%减少面积,因此,在生产成本的潜力减半。激光束光刻,总部设在美国的公司Cymer公司,最近交付ASML的极紫外光刻在2010年到期的生产系统进行整合的第一个源光源制造商。

技术

以平版印刷技术,核心在芯片制造过程中使用,电路,晶体管和电容器的具体模式是光从一个面具转移到晶圆。为此,照明系统和投影系统集成到一个晶片扫描器。光刻的光的波长越短,越细,可以用它生产的模式。 EUV光刻技术用于一个极短的波长为13.5纳米的光。因此,照明及投影光学系统包括几个顺序排列的,错综复杂的形状,而不是到现在通常使用的镜头的镜子。取得该决议使芯片封装密度,因此更高的芯片性能高。 EUV光刻技术提供持续的小型化过程中已经发生因为集成电路的发明实际上至少另一个十年,因此,发展微芯片的性能水平,是不可想象的今天的潜力。

Last Update: 17. October 2011 06:11

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