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首先,從卡爾蔡司光學系統的交付加盟關於 EUV光刻技術的正面新聞列表

Published on September 16, 2009 at 8:27 AM

卡爾蔡司 ,世界領先的芯片製造光學系統的製造商,目前已交付一個完整的光學系統為生產準備的極端紫外線光刻技術(EUVL),芯片製造新技術。這種光學系統形成了一個從荷蘭製造商和長期合作夥伴,卡爾蔡司,ASML第一EUVL生產系統的核心模塊。提供完整的極紫外光刻系統,每小時 60片晶圓的速度開始,計劃在2010年下半年。它是用於生產微芯片在20納米範圍內與結構

“15年前,我們推出了EUV光刻技術的研究和發展,已遠遠超過 100萬從那時起歐元的投資,”報告,EUV技術在奧伯科亨卡爾蔡司SMT項目主任彼得庫爾茲博士。 “迄今為止,ASML公司已安裝了兩個世界各地的過程中開發工具。現在,它的使用在微芯片的批量生產指日可待。“

這項技術,彼得庫爾茲和他的團隊在2007年的未來的德國聯邦總統獎提名,並已共有超過 20萬歐元,由德國教育和研究部資助的發展在歐洲的水平,提供長期正在進行的小型化的芯片結構的潛力。它採用的曝光波長較短 13.5納米的近15倍,比目前使用的193納米技術。這短短的曝光波長下,有可能以減少大小的芯片結構和提高他們的堆積密度。

ASML公司已收到5 EUVL生產系統的訂單,從 2010年開始交付。 “我們最近所取得的成功是重要的里程碑,這表明,極紫外光刻是作為一個具有成本效益的單一圖形技術的進展非常順利。極紫外光刻有分辨能力進行超越摩爾定律在未來十年,說:”基督教瓦格納,ASML公司的高級產品經理。

另一個利好消息,關於發展的極紫外光刻出版在過去幾週的理由樂觀。比利時 IMEC的研究所(魯汶),例如,最近報導的成功生產 22納米的SRAM使用EUV技術的過程中發展的工具,安裝在其設施的細胞。與以前的技術節點相比,這使得在芯片表面的44%減少面積,因此在生產成本的潛力減半。激光束光刻,總部設在美國的公司Cymer公司,最近為 ASML的極紫外光刻生產系統在2010年到期的整合的第一來源光源製造商。

技術

以平版印刷技術,在芯片製造中使用的核心過程,電路,晶體管和電容器的具體模式是光從一個面具轉移到晶圓。為此,照明系統和投影系統集成到一個晶片掃描器。光刻技術用於光的波長越短,越細,可以用它生產的模式。一個極短的波長為 13.5納米的光用於 EUV光刻技術。因此,照明及投影光學系統包括幾個順序排列的,錯綜複雜的形鏡子,而不是到現在為止,通常使用的鏡頭。取得該決議使芯片封裝密度,因此較高的芯片性能高。 EUV光刻技術,提供持續的小型化過程中已經發生由於集成電路的發明,實際上至少十年,因此發展有今天,是不可想像的的性能水平上的微芯片的另一個的潛力。

Last Update: 7. October 2011 09:25

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