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测试反铁磁性限额在 Nanostructured 材料的

Published on October 9, 2009 at 6:26 PM

电子 + 磁性材料 + 设备的研究员编组 (Argonne 国家实验室),并且在 Politecnico 二米兰在意大利第一次测试反铁磁性限额在 nanostructured 材料的,评定要求的这个温度支持在锰基本单层的反铁磁质的命令在钨的,当减少结构的维数。

(Mn 单层的空转结构的顶部) 概要在 W (110) 的 (6 nm 重复结构)。 (a) 地势和 (b) 有差别的导率在 40 个 K. (插页) 高分辨率地形学数据采取与一个空转敏感的技巧; 数据条对比与程度反铁磁质的秩序有关。

当这些限定范围在铁磁物质时很好了解,反铁磁质的材料 - 其中相邻的磁矩取消而不是加起来 - 证明更加富挑战性解开。

此研究利用锰在钨的空转螺旋唯一属性关联在基本等级的空转敏感的扫描挖洞显微学技术与电子签名,向显示这个反铁磁质的结构的预定的温度取决于两个其范围和其取向关于晶格。

这样调查将帮助引导这个方式到超高密度数据存储的下一代感觉功能的平台和小说。

更多信息: 保罗 Sessi, Nathan P. Guisinger,杰费 R. Guest 和马赛厄斯预示, Phys。 Lett。 (在新闻中)

Last Update: 13. January 2012 11:09

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