El Dow Corning Amplía Sic Capacidades de la Epitaxia con el Último Reactor Planetario de la Generación AIXTRON

Published on October 12, 2009 at 3:12 AM

El Dow Corning y AIXTRON AG anunció hoy que el Dow Corning está ampliando sus Sic capacidades de la epitaxia con la última plataforma Planetaria AIX 2800G4 WW del Reactor de la generación AIXTRON para 10x100 milímetro y los fulminantes del futuro 6x150 milímetro Sic. El reactor se proyecta para ser puesto en servicio en el segundo trimestre 2010.

Marque Loboda, Ciencia y el Gerente de la Tecnología, Soluciones del Semiconductor Compuesto de Dow Corning, dijo, “Después de una revista rigurosa, nosotros seleccionó el sistema de AIXTRON para permitirnos entregar la morfología, la densidad del defecto y la uniformidad requeridas por nuestros clientes. La capacidad y la capacidad adicionales hasta 150m m permitirán que encontremos a nuestro cliente creciente rápidamente las necesidades de la producción del dispositivo del poder más elevado Sic.”

El Dr. Frank Wischmeyer, Vicepresidente y Director de Gerente, AIXTRON AB, Suecia, adicional: “Edificio conectado durante 10 años de experiencia con nuestra Sic tecnología Planetaria del Reactor de la Caliente-Pared, podemos ofrecer a la generación siguiente probada Sic AIX 2800G4 WW el sistema de producción epitaxial. La productividad aumentada del sistema es debido a las características del diseño tales como un inyector de gas triple refrigerado por agua central, una robustez de proceso mejorada y procedimientos de mantenimiento simplificados. De Acuerdo con el diseño probado de IC de AIXTRON, el sistema del AIX 2800G4 WW comparte una plataforma común con sobre 300 sistemas instalados por todo el mundo. AIXTRON está satisfecho para partner con las Soluciones del Semiconductor Compuesto de Dow Corning mientras que él avance Sic los dispositivos en el bajo costo en grandes cantidades que fabrica.”

El término Reactor® Planetario es una marca registrada.

Last Update: 13. January 2012 14:19

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