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Dow Corning étend les capacités de SiC avec un réacteur d'épitaxie dernière génération AIXTRON planétaire

Published on October 12, 2009 at 3:12 AM

Dow Corning et AIXTRON AG a annoncé aujourd'hui que la société Dow Corning étend ses capacités épitaxie de SiC avec la dernière génération AIXTRON planétaire réacteur plateforme AIX 2800G4 WW pour 10x100 mm et 6x150 futures tranches SiC mm. Le réacteur est prévu pour être mis en service au deuxième trimestre 2010.

Mark Loboda, Science et Technologie Responsable, Dow Corning Compound Semiconductor Solutions, déclare: «Après un examen rigoureux, nous avons sélectionné le système AIXTRON pour nous permettre de livrer la morphologie, la densité de défauts et l'uniformité requise par nos clients. La capacité ajoutée et une capacité allant jusqu'à 150mm va nous permettre de rencontrer nos clients en pleine croissance a besoin pour la production d'énergie appareil de haute SiC. "

Dr Frank Wischmeyer, vice-président et directeur général, AIXTRON AB, en Suède, a ajouté: «S'appuyant sur plus de 10 années d'expérience avec nos SiC Hot-Mur technologie du réacteur planétaire, nous sommes en mesure d'offrir la génération suivante éprouvée SiC AIX 2800G4 WW épitaxiale système de production. L'amélioration de la productivité du système est due aux caractéristiques de conception comme une eau central refroidi triple injecteur de gaz, la robustesse du processus améliorés et les procédures de maintenance simplifiées. Basé sur la conception de circuits intégrés AIXTRON prouvée, le système AIX 2800G4 WW part d'une plateforme commune avec plus de 300 systèmes installés dans le monde. AIXTRON est heureux de s'associer avec des solutions Dow Corning Compound Semiconductor à mesure qu'ils avancent dans la fabrication des dispositifs SiC coût élevé du volume faible. "

Le réacteur ® terme planétaire est une marque déposée.

Last Update: 11. October 2011 22:38

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