Dow Corning Расширяет Возможности Эпитаксии SiC с Самым Последним Реактором Поколения AIXTRON Планетарным

Published on October 12, 2009 at 3:12 AM

Dow Corning и AIXTRON AG сегодня объявил что Dow Corning расширяет свои возможности эпитаксии SiC с самым последним AIX 2800G4 WW платформы Реактора поколения AIXTRON Планетарным для 10x100 mm и вафель будущего 6x150 mm SiC. Реактор запланирован быть порученным в вторая четверти 2010.

Маркируйте Loboda, Менеджер Науки и Техники, Разрешения Сложного Полупроводника Dow Corning, сказал, «После неукоснительного просмотрения, мы выбрал систему AIXTRON для того чтобы позволить мы поставить словотолкование, плотность дефекта и единообразие требуемые нашими клиентами. Добавленные емкость и возможность до 150mm позволят нам соотвествовать растущие потребности нашего клиента быстро для продукции прибора SiC наивысшей мощности.»

Др. Франкирует Wischmeyer, Недостаток - Президент и Управляющий Директор, AIXTRON AB, добавленное Швеци: «Здание дальше над 10 летами опыта с нашей технологией Реактора Горяч-Стены SiC Планетарной, мы могл предложить доказанному AIX 2800G4 WW SiC следующего поколени эпитаксиальную производственную систему. Увеличенная урожайность системы должна к конструктивным особенностям как центральной охлаженный водой втройне инжектор газа, улучшенная отростчатая робастность и упрощенные процедуры по обслуживания. Основано на конструкции IC AIXTRON доказанной, система AIX 2800G4 WW делит общую платформу с над 300 установленными системами всемирно. AIXTRON довольный для того чтобы быть партнером с Разрешениями Сложного Полупроводника Dow Corning по мере того как они выдвигает приборы SiC в высокообъемную низкую цену изготовляя.»

Термина Планетарное Reactor® зарегистрированная торговая марка.

Last Update: 13. January 2012 16:20

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit