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Transistor Geräusch-Baumuster Verbessert Vorhersagen-Genauigkeit, Unterstützt die Anhaltende Einheits-Gradeinteilung

Published on October 26, 2009 at 9:44 PM

Forscher vom Vorderseite-Prozessprogramm (FEP) SEMATECHS haben ein umfassendes Transistorgeräuschbaumuster entwickelt, das zur Extrahierung von Defekteigenschaften von den Niederfrequenzgeräuschdaten in hoch entwickelten Torstapeltransistoren unter Verwendung der herkömmlichen und neuen Dielektrika fähig ist. Das vorgeschlagene Baumuster ist ein Schlüsselschritt hin zu den kennzeichnenden und Minderungs, defekten, zum der aggressiven Einheitsgradeinteilung zu unterstützen. Ergebnisse SEMATECHS wurden an der IEEE Integrierten Zuverlässigkeits-Werkstatt am Donnerstag, den 22. Oktober (IRW), in Lake Tahoe, CA dargestellt.

Niederfrequenzgeräusche - gelegentliches Fluktuieren im Einheitsstrom - sind ein wachsendes Interesse in der Leistung von integrierten CMOS-Schaltungen, besonders da die Industrie die unnachgiebige Einheitsgradeinteilung und die neuen Materialien fortsetzt, werden eingeführt. Die Wurzel der „Geräusche“ ist die Elektronen, die von der Substratfläche oben in einen Defekt im Nichtleiter und zurück springen. Das herkömmliche Baumuster für Niederfrequenzgeräusche, die bis zu den neuen Technologieknotenpunkten annehmbar war, funktioniert gut jetzt, nicht, wie von NIST-Forschern (ref=IEEE Spektrum Vol. Im August 2009 46, Seite 16) - die Prognose für Transportunternehmererfassung Anfang des Jahres unterstrichen, die Kinetik aus durch 1000x oder mehr ist. Um diesen Punkt anzusprechen, haben FEP-Forscher SEMATECHS das Konzept „des Gitterentspannung“ um einen Defekt eingesetzt; wenn der Defekt eine Ladung (Elektron) einschließt, „glauben“ die benachbarten Kerne seinem Coulomb-Potenzial und verschieben ihre Stellung etwas, um dieses zusätzliche Kraft &ndash anzupassen, sich das heißt, das sie um den Defekt „entspannen“. Dieses Entspannung benötigt eine begrenzte Menge Energie und beläuft sich auf eine Sperre, die die Kinetik der Erfassung verlangsamt.

Der Gebrauch von Geräuschkennzeichnung ist vom besonderen Interesse zur Zuverlässigkeitsgemeinschaft, in der es eine wertvolle Diagnosetechnik in der Entwicklung von Halbleitermaterialien und -einheiten geworden ist. „Geräuschleistung in den verschiedenen Anwendungen optimieren, müssen wir in der Lage sein, die Prozesse genau zu simulieren, die für Geräusche verantwortlich sind,“ sagte Gennadi Bersuker, Projektleiter der elektrischen Kennzeichnung und der Zuverlässigkeit an SEMATECH. „Mit dem vorgeschlagenen Baumuster, hat die Zuverlässigkeitsgemeinschaft jetzt Mittelwerte des Kennzeichnens der Atomzelle der Defekte und erlaubt Feed-back aufzubereiten und Integrationsgruppen Reduzierung und Beseitigung der Defekte zu ermöglichen.“

Michael Shur, die Patricia W. und C. Sheldon Professor von FestkörperElektronik am Rensselaer Polytechnic Institute, sagten, dass die Vorrichtung des strukturellen Entspannung der Fallen in den MOSFETs, die von der SEMATECH-Gruppe entdeckt werden, die Taste zum Verständnis und zu Minderungsgeräuschen und ist folglich, von extremer Bedeutung für die Gradeinteilung von hoch entwickelten Einheitszellen ist. „Die SEMATECH-Arbeit erklärt einige Größenordnungen Unterschied zwischen älterem, so genannt, Tunnelbaubaumuster und die Geräusche gemessen in hoch entwickeltem CMOS mit ultradünnen Oxidschichten,“ sagte Prof Shur.

Gemeinsam mit Bauteilfirmen Universitäten, nationale Labors und Lieferantenpartner, entwickeln die technischen Teams des Kernes von FEP-Programm SEMATECHS durchweg innovative Techniken für das Ausdehnen von hoch--K Dielektrika, von Metalltoren, von hohen Mobilitätskanälen und von hoch entwickelten Zweikanalmagnetbandelementen.

Über SEMATECH:

Für über 20 Jahre hat SEMATECH® (www.sematech.org) globale Richtung, aktivierte flexible Zusammenarbeit eingestellt und strategischen R&D zur Herstellung überbrückt. Heute fahren wir fort, die folgende Technologiedrehbewegung mit unseren nanoelectronics und der auftauchenden Technologie Partnern zu beschleunigen.

Last Update: 13. January 2012 14:42

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