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Posted in | Nanoelectronics

Il Modello di Disturbo del Transistor Migliora l'Accuratezza di Previsione, Supporta Riportare In Scala Continuato dell'Unità

Published on October 26, 2009 at 9:44 PM

I Ricercatori dal programma di Trattamenti della Parte Frontale (FEP) di SEMATECH hanno sviluppato un modello completo di disturbo del transistor capace dell'estrazione delle caratteristiche di difetto dai dati a bassa frequenza di disturbo in transistor avanzati della pila del portone facendo uso sia dei dielettrici convenzionali che novelli. Il modello proposto è un punto chiave verso l'identificazione e minimizzare diserta per supportare riportare in scala aggressivo dell'unità. I risultati di SEMATECH sono stati presentati al Gruppo Di Lavoro Integrato IEEE dell'Affidabilità (IRW) giovedì 22 ottobre, nel Lago Tahoe, CA.

il disturbo a bassa frequenza - fluttuazioni casuali nella corrente dell'unità - è una preoccupazione crescente nella prestazione dei circuiti integrati di CMOS, specialmente poichè l'industria continua riportare in scala implacabile dell'unità ed i nuovi materiali è presentato. La root “del disturbo„ è elettroni che saltano dal substrato su in un difetto nel dielettrico ed indietro. Il modello convenzionale per disturbo a bassa frequenza, che era accettabile fino ai vertici recenti della tecnologia, ora non funziona bene, come precisato all'inizio di quest'anno dai ricercatori del NIST (ref=IEEE Spettro Volume 46, pagina 16 Agosto 2009) - la previsione di modello per i portafili le tariffe di bloccaggio che è disinserite da 1000x o da più. Per affrontare questa emissione, i ricercatori del FEP di SEMATECH hanno impiegato il concetto “di rilassamento della grata„ intorno ad un difetto; quando il difetto intrappola una tassa (elettrone), i nuclei vicini “ritengono„ il suo potenziale di Coulomb e spostano la loro posizione leggermente per accomodare questo &ndash supplementare della forza cioè che “si rilassano„ intorno al difetto. Questo rilassamento richiede una quantità limitata di energia, ammontante a barriera che rallenta la tariffa del bloccaggio.

L'uso della caratterizzazione di disturbo è di interesse particolare alla comunità dell'affidabilità, in cui si è trasformato in in una tecnica diagnostica apprezzata nello sviluppo dei materiali e delle unità a semiconduttore. “Per ottimizzare prestazione di disturbo in varie applicazioni, dobbiamo potere simulare esattamente i trattamenti responsabili di disturbo,„ ha detto Gennadi Bersuker, project manager della caratterizzazione e dell'affidabilità elettriche a SEMATECH. “Con il modello proposto, la comunità dell'affidabilità ora ha mezzi di identificazione della struttura atomica dei difetti, permettendo che il feedback elabori ed i gruppi di integrazione facilitino la riduzione e l'eliminazione dei difetti.„

Michael Shur, Patricia W. e C. Sheldon il Professor di Elettronica Semi Conduttrice al Rensselaer Polytechnic Institute, hanno detto che il meccanismo di rilassamento strutturale delle trappole in MOSFETs scoperti dal gruppo di SEMATECH è il tasto alla comprensione ed al disturbo di minimizzazione e, quindi, è di importanza estrema per riportare in scala le strutture avanzate dell'unità. “Il lavoro di SEMATECH spiega la differenza di parecchi ordini di grandezza fra più vecchio, cosiddetto, modelli di traforo ed il disturbo misurato nel CMOS avanzato con i livelli ultrasottili dell'ossido,„ ha detto Prof. Shur.

In collaborazione con le società del membro, università, laboratori nazionali e partner del fornitore, i gruppi tecnici di memoria del programma del FEP di SEMATECH stanno sviluppando coerente le tecniche innovarici per l'estensione i dielettrici alti--K, i portoni del metallo, gli alti canali di mobilità e delle tecnologie di memoria avanzate.

Circa SEMATECH:

Per oltre 20 anni, SEMATECH® (www.sematech.org) ha fissato la direzione globale, collaborazione flessibile permessa a ed ha gettato un ponte sulla R & S strategica alla fabbricazione. Oggi, continuiamo ad accelerare la rivoluzione tecnologica seguente con i nostri partner della tecnologia di emergenza e di nanoelectronics.

Last Update: 13. January 2012 14:04

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