Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Nanoelectronics

Модель Шума Транзистора Улучшает Точность Прогноза, Поддерживает Продолжаемый Вычислять По Маштабу Прибора

Published on October 26, 2009 at 9:44 PM

Исследователя от программы Процессов Начала (FEP) SEMATECH начинали всестороннюю модель шума транзистора способную извлекать характеристики дефекта от низкочастотных данных по шума в предварительных транзисторах стога строба используя и обычные и романные dielectrics. Предложенная модель ключевой шаг к определяя и уменьшая дефектам для того чтобы поддержать агрессивныйый вычислять по маштабу прибора. Результаты SEMATECH на Интегрированной IEEE Мастерской Надежности (IRW) в пятница 22-ое октябрь, в Лаке Таюое, CA.

введен низкочастотный шум - случайные зыбкост в течении прибора - растущая забота в представлении интегрированных цепей CMOS, в частности по мере того как индустрия продолжает безжалостный вычислять по маштабу и новые материалы прибора. Корень «шума» электроны скача от субстрата вверх в дефект в диэлектрике и назад. Обычная модель для низкочастотного шума, который был приемлем до недавних узлов технологии, не работает хорошо теперь, как указано вне исследователями NIST более раньше этот год (VOL. 46 Августа 2009 Спектра ref=IEEE, страница 16) - модельный прогноз для несущей интенсивности захвата 1000x или больше. Для того чтобы адресовать этот вопрос, исследователя FEP SEMATECH использовали принципиальную схему «релаксации решетки» вокруг дефекта; когда дефект поглощает обязанность (электрон), соседские ядра «чувствуют» свой потенциал Кулона и переносят их положение немножко для того чтобы приспособить это дополнительное &ndash усилия то есть, они «ослабляют» вокруг дефекта. Эта релаксация требует небесконечного количества энергии, составляя к барьеру который замедляет тариф захвата.

Польза характеризации шума представил интерес особый интерес к общине надежности, где было ценным диагностическим методом в развитии материалов и приборов полупроводника. «Оптимизировать представление шума в различных применениях, нам нужно мочь точно сымитировать процессы ответственные для шума,» сказал Gennadi Bersuker, руководитель проекта электрических характеризации и надежности на SEMATECH. «С предложенной моделью, община надежности теперь имеет середины определять атомное строение дефектов, позволяющ обратной связи обрабатывать и группам внедрения облегчать уменьшение и исключение дефектов.»

Майкл Shur, W. Патриции и C. Sheldon Профессор Полупроводниковой Электроники на Политехническом Институте Rensselaer, Сказало что механизм структурной релаксации ловушек в MOSFETs открынных группой SEMATECH ключ к понимать и уменьшая шуму и, следовательно, весьма важности для вычислять по маштабу предварительные структуры прибора. «Работа SEMATECH объясняет разницу в нескольких порядков величины между старой, так называемо, модели прокладывать тоннель и шумы измерено в предварительном CMOS с ультратонкими слоями окиси,» сказал Prof. Shur.

В сотрудничестве с компаниями члена, университетами, национальными лабораториями, и соучастниками поставщика, команды сердечника технические программы FEP SEMATECH последовательно начинают новаторские методы для расширять высокие-k dielectrics, стробы металла, высокие каналы удобоподвижности, и предварительные технологии памяти.

О SEMATECH:

На сверх 20 лет, SEMATECH® (www.sematech.org) устанавливало глобальное направление, позволенное гибкое сотрудничество, и наводило стратегическое R&D к изготовлять. Сегодня, мы продолжаемся ускорить ход следующего витка технологии с нашими соучастниками nanoelectronics и вытекая технологии.

Last Update: 13. January 2012 14:57

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit