Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

Umfassender Überblick über Wichtige Punkte Hinsichtlich Moderner Nm MOSFETs

Published on November 4, 2009 at 6:29 PM

Forschung und Märkte, die führende Quelle für Weltmarktforschung und Marktdaten, hat den Zusatz von Pan Stanford Pte Veröffentlichend angekündigt. Neuer Bericht „Nm CMOS“ Ltd. zu ihrem Angebot.

Dieses Buch gibt einen umfassenden Überblick über alle wichtigen Punkte hinsichtlich moderner Si MOSFETs. Es umfaßt die Prinzipien von MOSFET-Operation, Theorie und stuft Punkte und eine ausführliche Diskussion über nm MOSFETs ein. Werden klassische nm MOSFETs sowie nicht-klassische MOSFET-Konzepte, die wenig Dichte in den Lehrbüchern empfangen, ausführlich behandelt. Die Einheitszellen, -übertragungsgüte und -nachteile von MOSFET-Konzepten mögen belastete Si MOSFETs, ultradünne Gehäuse SOI MOSFETs, und mehrfache Tor MOSFETs (FinFETs, Drei-Tor MOSFETs) werden dargestellt.

Ein gesamtes Kapitel wird dem auftauchenden und schnell wachsenden Bereich von HF MOSFETs/RF CMOS gewidmet, und die Diskussion dehnt sich auf die wichtigen zukünftigen Tendenzen herein von nm CMOS-Technologie und Probleme und Grenzen auf Skalierung aus.

Leserschaft: Absolvent und fortgeschrittene Studenten, Forscher, Ingenieure und Manager auf den Gebieten der elektrischen u. elektronischen Technik und des nanoelectronics u. der Mikroelektronik.

SchlüsselThemen Umfaßt:

Entwicklung und Neue Fortschritte in der Si-Elektronik
MOSFET Grundlagen, Theorie und Formung
Nm MOSFETs
HF-MOSFETs
Überblick über Nm CMOS-Technologie
Herausforderungen von Giga-Schuppe Integration

Für mehr Informationsbesuch http://www.researchandmarkets.com/research/f10c57/nanometer_cmos

Last Update: 13. January 2012 14:01

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit