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Generalità Completa delle Emissioni Importanti Per Quanto Riguarda i MOSFETs Moderni di Nanometro

Published on November 4, 2009 at 6:29 PM

La Ricerca ed i Servizi, la sorgente principale per la ricerca del mercato internazionale e dati del mercato, ha annunciato l'aggiunta della Pentola Stanford che Pubblica la PTE. La nuova relazione “Nanometro CMOS„ della Srl alla loro offerta.

Questo libro fa una generalità completa di tutte le emissioni importanti riguardo ai MOSFETs moderni di Si. Riguarda i principi di operazione del MOSFET, teoria, riportando in scala le emissioni e una discussione approfondita sui MOSFETs di nanometro. Sia i MOSFETs classici di nanometro come pure i concetti non classici del MOSFET, che ricevono poca copertura in manuali, sono trattati dettagliatamente. Le strutture, i meriti e gli svantaggi dell'unità dei concetti del MOSFET come i MOSFETs sforzati di Si, i MOSFETs ultrasottili dell'organismo SOI ed i MOSFETs multipli del portone (FinFETs, MOSFETs del Tri Portone) sono presentati.

Un intero capitolo è votato al campo emergente e rapido crescente della RF MOSFETs/RF CMOS e la discussione estendere alle tendenze future importanti dentro di Tecnologia CMOS di nanometro ed i problemi ed i limiti di operazione di disgaggio.

Lettura: Laureati e studenti, ricercatori, ingegneri e gestori postuniversitari nei campi di assistenza tecnica elettrica & elettronica e del nanoelectronics & delle microelettroniche.

Temi Principali Coperti:

Evoluzione ed Avanzamenti Recenti nell'Elettronica di Si
Fondamenti, Teoria e Modellistica del MOSFET
MOSFETs di Nanometro
MOSFETs di RF
Generalità di Tecnologia CMOS di Nanometro
Sfide di Integrazione del Giga-Disgaggio

Per più visita http://www.researchandmarkets.com/research/f10c57/nanometer_cmos di informazioni

Last Update: 13. January 2012 13:23

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