重要问题全面概览关于现代毫微米 MOSFETs

Published on November 4, 2009 at 6:29 PM

研究和市场,国际市场研究的主导的来源和市场数据,宣布了发布 Pte 的平底锅斯坦福的添加。 有限公司的新的报表 “对他们提供的毫微米 CMOS”。

此书提供关于现代 Si MOSFETs 的所有重要问题全面概览。 它包括 MOSFET 运算,原理的原则,称问题和关于毫微米 MOSFETs 的一次详细讨论。 古典毫微米 MOSFETs 以及非经典的 MOSFET 概念,接受在课本的一点覆盖范围,详细对待。 MOSFET 概念设备结构、优点和缺点喜欢紧张的 Si MOSFETs,超薄的机体 SOI MOSFETs,并且存在多个门 MOSFETs (FinFETs,三门 MOSFETs)。

一个整个章节专用于 RF MOSFETs/RF CMOS 的涌现的和迅速地增长的域,并且论述延伸到重要将来的趋势毫微米 CMOS 技术和比例缩放问题和限额。

读者: 毕业生和毕业后的学员、研究员、工程师和经理在电子 & 电子工程师和 nanoelectronics & 微电子学领域。

包括的主题:

演变和最近预付款在 Si 电子
MOSFET 根本性,原理和塑造
毫微米 MOSFETs
RF MOSFETs
毫微米 CMOS 技术概览
Giga 缩放比例综合化的挑战

对更多信息访问 http://www.researchandmarkets.com/research/f10c57/nanometer_cmos

Last Update: 13. January 2012 09:00

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