重要問題全面概覽關於現代毫微米 MOSFETs

Published on November 4, 2009 at 6:29 PM

研究和市場,國際市場研究的主導的來源和市場數據,宣佈了發布 Pte 的平底鍋斯坦福的添加。 有限公司的新的報表 「對他們提供的毫微米 CMOS」。

此書提供關於現代 Si MOSFETs 的所有重要問題全面概覽。 它包括 MOSFET 運算,原理的原則,稱問題和關於毫微米 MOSFETs 的一次詳細討論。 古典毫微米 MOSFETs 以及非經典的 MOSFET 概念,接受在課本的一點覆蓋範圍,詳細對待。 MOSFET 概念設備結構、優點和缺點喜歡緊張的 Si MOSFETs,超薄的機體 SOI MOSFETs,并且存在多個門 MOSFETs (FinFETs,三門 MOSFETs)。

一個整個章節專用於 RF MOSFETs/RF CMOS 的湧現的和迅速地增長的域,并且論述延伸到重要將來的趨勢毫微米 CMOS 技術和比例縮放問題和限額。

讀者: 畢業生和畢業後的學員、研究員、工程師和經理在電子 & 電子工程師和 nanoelectronics & 微電子學領域。

包括的主題:

演變和最近預付款在 Si 電子
MOSFET 根本性,原理和塑造
毫微米 MOSFETs
RF MOSFETs
毫微米 CMOS 技術概覽
Giga 縮放比例綜合化的挑戰

对更多信息訪問 http://www.researchandmarkets.com/research/f10c57/nanometer_cmos

Last Update: 25. January 2012 06:57

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