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Posted in | MEMS - NEMS | Nanobusiness

MEMS の製造工程および材料の主な傾向を検出して下さい

Published on November 9, 2009 at 5:41 AM

研究および市場の一流ソースおよび国際市場の研究のための市場データは提供に、 「世界 MEMS 装置 + 材料の市場 2009 年」のレポートの付加を発表しました。

MEMS の製造工程および材料の主な傾向を検出して下さい。

危機にもかかわらず、革新はまだ MEMS ビジネスを運転しています

MEMS ビジネスは革新によって運転され続けます。 携帯電話の MEMS 装置のための要求の後で、 MEMS の顧客はより小さい、高性能がありたいと思い、より少なく高価な MEMS は停止します。 工具製作工のために少数を指名するための、それはより速く深い腐食のレート、よりきれいで犠牲的なエッチング、新しい金属結合、 3D 包装のアプローチおよびウエファーの水平なテストの新しいプロセスのための連続的な開発努力を意味します。 新しい 「世界 MEMS 装置及び材料市場 2009 年」は (「WMEM 09") MEMS の生産の装置そして材料のための傾向そして機会を記述します。 このレポートは MEMS 装置のための市場予測をおよび準 MEMS 装置および材料与えます。 MEMS のセクターが翌年の間きっかり全面的にまたはそう残るが、慣性 MEMS (携帯電話のために)、 RF スイッチ、エネルギー収穫およびミラーの革新のための発展領域そして部屋があります。

MEMS の生産のツールの市場は 2009/2010 のために平らですが、プレーヤーが 2011 年に傾斜路のために準備するので MEMS 装置 R & D はまだアクティブです。 2012 年までに、 MEMS 装置の市場は $500M に達します。

WMEM 09 のレポートは異なったタイプの MEMS の生産のためのツールに詳細な分析を提供します:

深いエッチング
犠牲的なエッチング
沈殿及びクリーニング
接着
石版印刷
IC の MEMS
標準
Si Vias によって
テスト CAD のツール
主要なレポートのハイライト

各タイプの装置のためにレポートは市場および技術動向についての情報を提供します。 例えば、現在多くの競争の犠牲的なリリース技術がありますが、私達は XeF2 犠牲的なエッチングについては成長する興味を見ます。

これは SiO2 に Si、 SiGe、 polySi、 W、チタニウムおよび Mo の間使用することができないので非常に特定の技術です。 1 つの大きい大量生産だけ (QMT からの iMoDTM) のあるニッチのアプリケーションに制限されたが、この技術のための高められた興味があることをようです。 もう一つの特定の MEMS プロセス、結合は、ガラスおよび陽極からよりよい hermeticity およびより薄い線幅のために、基づいてより多くの金属に移動ですが大きさは今でも従来のプロセスであり、そこの押しは当然パフォーマンスをあきらめないでウエファーのより多くの装置を得るためにガラスフリットによってとられるケイ素の不動産の量を減らすことです。

、専門的に言えば、 MEMS がないがスタックのすべての層のために段階的な石版印刷だけ必要とする、現在アライナからの MEMS のための段階的な石版印刷にシフトを引き起こす刺激により manufacturability 問題および下部組織の改革問題です。

新しい何かは MEMS の標準プロセスのために可能な来ることです。 長い間、 MEMS の生産規則はです 「1 つの製品、 1 プロセス、ずっと 1 のパッケージ!」 しかしヨーロッパの鋳物場および R & D の協会は標準プロセスモジュールをです MEMS の生産のために可能論争します。 Silex はによウエファーを経て促される方法をおよび WLP のプラットホームによって導いています: より多くの fabs の使用顧客が同一の写真版できれば、モジュールまたはプラットホーム、よりよくプロセス制御および収穫およびより低い費用。 他のプレーヤーは R & D の fabs のための 8 インチのウエファーの標準プロセスのための CEALéti です。 モジュールの例は包む TSV、 WL 密閉結合または Si の膜が含まれています。 異なったモジュールを統合することは一緒に機能 (センサー、アクチュエーター) を作成します。 このアプローチは MEMS の構造のために CMOS プロセスの使用と競っています。

包装は新しい MEMS デザインのために主です。 今では例えば、 TSV の 3D 統合は期待される連続的な成長を用いる産業現実です。 MEMS のための TSV の 3D 統合は DRIE の市場のための成長の次のリレーであるために本当らしく、 3D TSV はより速い腐食のレートのための必要性を押しています (100/min の方に!)。 DRIE は慣性 MEMS の製造業のために現在大抵使用され、またぬれたの置換でマイクロフォン、圧力センサーのためにますます使用されます (ウエファーを渡る機能プロフィール、深さおよび均等性のよりよい制御のために)。 DRIE のための現在の挑戦は Bosch プロセスの後のポリマーの取り外し、サイドウォールの荒さ、エンドポイントの検出、再現性及び信頼性および高められた腐食のレートです。

市場の測定基準

MEMS のための材料は 2012 年に $470M の市場です。 ウエファーのサイズの点では、 8" への 6" から転移が大量 MEMS アプリケーションにかかわる会社のためのウエファーのサイズあります。 既に 8つを処理している 10 人の MEMS の会社が 2009 年に 5 つの新しい発表を用いるウエファーあります。 SOI のウエファーは使用され、 $M 値の合計によって処理されるウエファーの約 23% を表します。 厚い SOI (0.2 に 60) は犠牲的なリリースのために使用されます。 より厚いボックスのための傾向があります (> より高い必要とする MEMS 装置のための 5) 偏向を (micromirrors かある回転羅針儀のような)。

Yole の研究は装置の 12 の主要なカテゴリに集約される 150 の MEMS アプリケーションを追跡しているアナリストの進行中の作業で引きます: インクジェットヘッド、圧力センサー、マイクロフォン、加速度計、ジャイロスコープ、 MOEMS、マイクロボロメーター、マイクロの表示、マイクロ流体素子工学、 RF MEMS、マイクロ先端および出現 MEMS 装置。 情報はシステム及び装置メーカーおよび装置及び材料の製造者から直接集まります。

Last Update: 13. January 2012 10:38

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