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AIXTRON Tokuyama + आर डी सेंटर पर ऐक्स 200 / 4 आरएफ एस MOCVD प्रणाली स्थापित

Published on November 11, 2009 at 4:07 AM

AIXTRON एजी घोषणा की थी कि एक और ऐक्स 200 / 4 आरएफ एस MOCVD सिस्टम स्थापित किया गया है और सफलतापूर्वक Tokuyama Tsukuba में अनुसंधान एवं विकास केंद्र, जापान में अभियान शुरू कर दिया है.
रिएक्टर पहले से ही 2008 की चौथी तिमाही में भेज दिया गया है और Tokuyama द्वारा AlGaN आधारित अल्ट्रा वायलेट प्रकाश उत्सर्जक डायोड (यूवी एल ई डी) के विकास के लिए इस्तेमाल किया जा रहा है.

आज यूवी के नेतृत्व में बाजार में अगले कुछ वर्षों में दोगुने से भी अधिक इस मूल्य के लिए एक क्षमता के साथ प्रति वर्ष लगभग 100 मिलियन डॉलर के लायक है. हाल ही में एक रिपोर्ट और मौजूदा यूवी प्रकाश स्रोतों के प्रतिस्थापन के लिए जरूरत से प्रेरित के अनुसार, कुल बाजार 2015 में 250M डॉलर तक पहुंच सकता है. इसके अलावा, कॉम्पैक्ट अच्छी तरह से परिभाषित तरंग दैर्ध्य श्रेणियों के साथ ठोस राज्य यूवी स्रोतों की उपलब्धता चिकित्सा क्षेत्र के लिए समाधान सहित कई नए अनुप्रयोगों, सक्षम हो जाएगा.

उच्च विद्युत उपकरणों को भी सख्त या रेजिन का इलाज करने के लिए आवेदन उद्योग में अवसरों को पैदा करेगा. लेकिन सबसे प्रमुख अवसर मजबूत करने के लिए महंगा पारंपरिक पारा लैंप की जगह है जो केवल कमजोर और अल्पकालिक नहीं कर रहे हैं लेकिन यह भी एक पर्यावरण जोखिम मौजूद की इच्छा है.

इस बाजार की क्षमता का अहसास AlN आधारित substrates और epitaxial परतों, इसलिए ऐक्स 200 / 4 आरएफ एस के रूप में सटीक MOCVD उपकरण के लिए जरूरत की लागत प्रभावी विकास में विशेष रूप से विशिष्ट तकनीकी अग्रिमों पर सशर्त जाएगा. AlN यूवी उपकरणों के विकास के लिए एक आदर्श सामग्री है क्योंकि यह सभी अर्धचालक के व्यापक प्रत्यक्ष ऊर्जा bandgap (लगभग 6.2 eV) है. इसके अलावा, का उपयोग MOCVD, डिजाइनरों bandgap इंजीनियरिंग का उपयोग करने के लिए इष्टतम मिश्र और heterostructures बनाने के लिए यूवी - एलईडी आवेदन के अनुरूप कर सकते हैं.

जापान आधारित Tokuyama निगम पहले से ही विकास और इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग के लिए लोकप्रिय ultrapure polysilicon के रूप में रासायनिक उत्पादों का एक पूरा पोर्टफोलियो के निर्माण में एक विश्व नेता है. कंपनी ने भी दुनिया का सबसे बड़ा एल्यूमीनियम (AlN) नाइट्राइड संयंत्र, एक सामग्री है कि शक्ति एलईडी और डीवीडी recorders और तंतु प्रकाशिकी के लिए लेजर डायोड के रूप में उच्च तापमान घटकों के लिए प्रभावी होना सिद्ध किया गया है.

Last Update: 9. October 2011 05:09

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