AIXTRON は Tokuyama R+D の中心で AIX 200/4 RF-S MOCVD システムをインストールします

Published on November 11, 2009 at 4:07 AM

AIXTRON AG それ以上の AIX 200/4 RF-S MOCVD システムが発表するためにインストールされていた喜び、筑波、日本の Tokuyama R & D の中心で正常に操作をことを開始しました。
リアクターは 2008 年の第四四半期で既に出荷され、 Tokuyama によって AlGaN ベースの紫外発光ダイオード (紫外線 LEDs) の開発のために使用されています。

UV-LED の市場は多くのための潜在性の 1 年ごとのおよそ $100,000,000 のより数年以内に倍増しますこの値は今日価値があります。 最近のレポートに従って既存の紫外線ソースの置換のための必要性によって動機を与えられて、総市場は 2015 年に $250M に達し。 さらに、明示されている波長範囲とのコンパクトなソリッドステート紫外線ソースのアベイラビリティは医学のセクターのための解決を含む多くの新規アプリケーションを、可能にします。

高い発電装置はまた樹脂の堅くなるか、または治癒のための企業でアプリケーション機会を作成します。 しかし最も顕著な機会はまた壊れやすく、ただ短命取り替えるのしかし環境に危険をもたらすものをです高価な従来の水銀ランプを示す強い欲求。

この市場の潜在能力の認識は AlN ベースの基板およびエピタキシアル層の費用有効成長、それ故に AIX 200/4 RF-S のような精密 MOCVD 装置のための必要性の特定の技術の進歩で条件特にです。 AlN はすべての半導体 (およそ 6.2 eV) の最も広い直接エネルギー bandgap があるので紫外線装置の開発のための理想的な材料です。 さらに、 MOCVD を使用して、デザイナーは UV-LED アプリケーションに適するために最適合金およびヘテロ構造を作成するのに bandgap 工学を使用できます。

日本ベースの Tokuyama Corporation は既に電子産業のための普及した ultrapure polysilicon のような化学製品の完全なポートフォリオの開発そして製造業の各国指導者です。 会社はまた世界で最も大きい窒化アルミニウム (AlN) のプラント、力 LEDs および DVD のレコーダーおよびファイバ・オプティックスのための半導体レーザーのような高温コンポーネントのために有効であると証明された材料を持っています。

Last Update: 13. January 2012 09:57

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