AIXTRON Instala o Sistema do MOCVD RF-s do AIX 200/4 no Centro de Tokuyama R+D

Published on November 11, 2009 at 4:07 AM

AIXTRON AG é satisfeito anunciar que um sistema mais adicional do MOCVD RF-s do AIX 200/4 estêve instalado e começou com sucesso a operação no centro do R&D de Tokuyama em Tsukuba, Japão.
O reactor tem sido enviado no quarto trimestre de 2008 e está sendo usado já por Tokuyama para a revelação dos diodos luminescentes ultravioletas AlGaN-baseados (Uv-Diodo emissor de luz).

Hoje o mercado de UV-LED vale aproximadamente $100 milhões pelo ano com um potencial para mais do que dobra este valor nos próximos anos. De acordo com um relatório recente e motivado pela necessidade para uma substituição de fontes luminosas UV existentes, o mercado total podia alcançar $250M em 2015. Além, a disponibilidade de fontes UV de circuito integrado compactas com escalas de comprimento de onda bem definidas permitirá muitas novas aplicações, incluindo soluções para o sector médico.

Os dispositivos de potência Mais Alta igualmente criarão oportunidades da aplicação na indústria para o endurecimento ou curar-se das resinas. A oportunidade a mais proeminente contudo é o desejo forte substituir as lâmpadas de mercúrio tradicionais caras que são não somente frágeis e breves mas apresentar igualmente um perigo ambiental.

A realização deste potencial do mercado será condicional em avanços técnicos específicos especialmente no crescimento eficaz na redução de custos de carcaças AlN-baseadas e de camadas epitaxial, daqui na necessidade para o equipamento do MOCVD da precisão tal como o AIX 200/4 RF-s. AlN é um material ideal para a revelação de dispositivos UV porque tem o bandgap directo o mais largo da energia de todos os semicondutores (eV aproximadamente 6,2). Além Disso, usando o MOCVD, os desenhistas podem usar a engenharia do bandgap para criar as ligas e as heterostrutura as melhores para serir a aplicação de UV-LED.

Tokuyama Japão-Baseado Corporaçõ é já um líder mundial na revelação e na fabricação de uma carteira completa de produtos químicos tais como o polysilicon ultrapure popular para a indústria electrónica. A empresa igualmente tem a planta a maior do nitreto de alumínio do mundo (AlN), um material que seja provado ser eficaz para componentes de alta temperatura tais como o Diodo emissor de luz da potência e os diodos láser para registradores e fibras ópticas de DVD.

Last Update: 13. January 2012 11:29

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