AIXTRON 安装 AIX 200/4 RF-S MOCVD 系统在 Tokuyama R+D 中心

Published on November 11, 2009 at 4:07 AM

AG AIXTRON 在筑波,日本高兴地宣布安装了进一步 AIX 200/4 RF-S MOCVD 系统和顺利地开始了运算在 Tokuyama R&D 中心。
在第四季度已经被发运了 2008年和 Tokuyama 使用反应器为基于 AlGaN 的紫外发光二极管 (紫外 LEDs) 的发展。

今天 UV-LED 市场值得大约 $100 百万每年以在更多的潜在比在今后几年里加倍此值。 根据一个最近报表和刺激由需要对于现有的紫外光来源的替换,在 2015年总市场能到达 $250M。 另外,紧凑固体紫外来源的可用性与明确定义的波长范围的将启用许多新建应用程序,包括这个医疗部门的解决方法。

更大的功率设备在硬化或治疗的行业也将创建应用机会树脂。 然而这个最突出的机会是这个强烈的欲望替换是不仅脆弱和短期的昂贵的传统汞灯,而且存在环境危害。

此市场潜力的认识将是有条件的在特定技术提升特别是在基于 AlN 的基体和外延层有效增长,因此对精确度 MOCVD 设备的需要例如 AIX 200/4 RF-S。 AlN 是紫外设备的发展的理想的材料,因为它有最宽的直接能源 bandgap 所有半导体 (大约 6.2 eV)。 而且,使用 MOCVD,设计员能使用 bandgap 工程创建最佳合金和异质结构配合 UV-LED 应用。

基于日本的 Tokuyama Corporation 已经是一个世界领导人在化学制品一个完全投资组合的发展和制造中例如电子工业的普遍的 ultrapure 多晶硅。 这家公司也有世界的最大的氮化铝 (AlN) 工厂,被证明是有效的为高温要素例如功率 LEDs 和 DVD 记录员和纤维光学的激光二极管的材料。

Last Update: 13. January 2012 08:19

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