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EUV und Doppeltes Kopieren, zum der Lithographie-Straßenkarte für Folgende Einige Technologie-Knotenpunkte Zu Warten

Published on November 12, 2009 at 8:07 AM

SEMATECH-Ingenieure und die Industrie an großem fahren fort, Fortschritt zu machen, wenn sie die Infrastruktur, die Lithographie für kosteneffektive Herstellung, entsprechend den Papieren aktiviert, die an den 2009 Internationalen EUVL dargestellt werden (Extreme Ultraviolette Lithographie) und an 193 nm-Immersions-Extensions-Symposien in Prag, Tschechische Republik entwickeln. Diesjährige Symposien wurden durch SEMATECH in Zusammenarbeit mit IMEC, Selete, EUVL und EUVA koorganisiert.

Am Woche-langen Duo von Lithographieereignissen, erfassten eine eindrucksvolle Anwesenheit von fast 400 Spitzenexperten und Forscher, um Fortschritt auf dem Ausdehnen von aktuellen Technologien beim Aufbauen der Infrastruktur für zukünftige Lösungen zu behandeln. Eine Einheit von 83 technischen Referaten und von 130 Plakaten berichtete stetig, gemessener Fortschritt in vielen Schlüsselbereichen. Gleichzeitig markierten Vorführer verschiedene Technologie, Infrastruktur, und Geschäftsherausforderungen, die die Industrie an erfolgreich ansprechen muss, schieben EUVL in Herstellung am 22 nm der Halbabstand Knotenpunkt ein.

„Während die Wirtschaftlichkeit unten ist, war Anwesenheit herauf dieses Jahr und wir übertrafen die Zahl des letzten Jahres von Registrierungen,“ sagte Bryan-Reis, Direktor der Lithographie an SEMATECH. „Ich schreibe dieses einer Kombination des kritischen Bedarfs der Industrie, die Kosten und die Gefahr des Entwickelns von EUV-Technologien anzusprechen und einer Anerkennung zu, dass 22 nm-Lösungen zur Einfügung betriebsbereit sehr bald sein müssen - im Jahre 2013.“

Während diesjährigen EUVL-Symposiums wurde beständiger Fortschritt für EUVL einschließlich berichtet:

  • Experten von Cymer berichteten, dass Laser produzierte Plasma (LPP)quellen 50 Watt am Zwischenfokus erzeugen (IF). Dieses vergleicht mit einer Systemanforderung von 180 Watt benötigt, um 100 Wafers Prostunde in der Großserienherstellung freizulegen.
  • SEMATECH-Forscher und Forschungspartner markierten die Schlüsselrolle, die das Konsortium gespielt hat, wenn es beträchtliche Fortschritte in EUV erzielte, widersteht, speziell durch das Erzielen 20 nm widerstehen Auflösungsbildern für chemisch verstärkt widersteht und die Herausforderungen von Auflösung, Zeile Randrauheit und Empfindlichkeits (LER)ziele auf eine systematische Art gleichzeitig treffen ansprechend.
  • Wenn EUVL näher an Steuerleitung sich bewegt, Einleitung, ist Maskenertrag ein kritischer Fokus geworden und einige Chiphersteller sowie Konsortien verwenden Waferdrucken und/oder aktinische Luftbildzusammenfassung, um Maskendefekte zu kennzeichnen. Jene Druckfähigkeitsstudien zeigen, dass die Anzahl von Druckmasken-Abdeckungsdefekten mit abnehmender Kenngröße erhöht. Ungefähr 50 Prozent aller überprüften Maskendefekte - decken Sie leere Defekte, Absorberdefekte und Musterdefekte ab - drucken auf dem Waferniveau.
  • Zuletzt kennzeichnete der EUVL-Symposium-Lenkungsausschuss am Ende der restlichen Schwerpunkte der Konferenz drei, die die Industrie benötigt, um ein zu bearbeiten, um EUVL-Herstellungseinfügung zu aktivieren:
    • 1. Verfügbarkeit von fehlerfreien Masken, während eines Maskenlebenszyklus und der Bedarf, kritische Maskeninfrastruktur-Hilfsmittelabstände, speziell in der Defektinspektion und im Defektzusammenfassungsbereich zu adressieren
    • 2. langfristige Quelloperation mit 100 W an WENN und megajoule 5 pro Tag
    • 3. Simultan widerstehen Sie Auflösung, Empfindlichkeit und LER

„Guter Fortschritt ist in Richtung zum Erzielen widerstehen Auflösung gemacht worden und Empfindlichkeitsziele, mit etwas Verbesserung in der Zeile Randrauheit und jetzt Chiphersteller sind das Demonstrieren Nach-Belichtungs widerstehen Prozessen, die zu beträchtlich verringerte Zeile Randrauheit führen,“ sagten Mitvorsitzender Stefan Wurm, EUVL-Symposiums und stellvertretenden Direktor SEMATECHS der Lithographie. „Mit dem führenden Berührungshilfsmittel der Welt für EUV widersteht zu lernen, fährt SEMATECH fort, die Entwicklung der Hochleistung zu aktivieren widersteht erforderlich, um EUV-manufacturability zu unseren Bauteilfirmen und zur Industrie zu demonstrieren.“

Die Schlüsselfortschrittsanzeiger, die am Immersions-Extensions-Symposium umrissen werden, enthalten das folgende:

  • Immersionslithographie ist bis die 22 nm unter Verwendung einer Vielzahl von Anflügen ausgedehnt worden.
  • Eine große Vielfalt von Techniken einschließlich Distanzstück, doppelte Ätzung, widerstehen einfrierenden Prozessen, litho Ätzung-litho Ätzung, und Quellmaskenalle Optimierung wurden als lebensfähige doppelte kopierende Anflüge demonstriert.
  • Gastreferent David Medeiros, von IBM, hob die Explosion des Abdeckens bei 22 nm unter Verwendung des doppelten Kopierens in seiner Darstellung hervor, die betitelt wurde „Lithographie auf dem Rand.“ Sam Sivakumar von Intel sagte voraus, dass zukünftige Lithographieprozesse mehrfache Anflüge eher als eine einzelne gewinnende Technik in seiner Darstellung kombinieren, die betitelt wird „Technische und HerstellungsHerausforderungen und die Aussicht für HVM unter Verwendung der ArF-Abstand-Abteilung.“
  • Obgleich Fortschritt in Richtung zum Aktivieren des 22 nm Knotenpunktes gemacht wird, war der Konferenzhöhepunkt, dass die Kosten des Besitzes von größerer Bedeutung als die technische Lösung selbst sind.

Die 2009 Internationalen EUVL- und Immersions-Extensions-Symposien sind zentrale Elemente der SEMATECH-Kenntnis-Serie - ein Set Öffentlichkeit, die einzel-fokussierten Industriesitzungen konstruiert, um globale Kenntnisse in den Schlüsselbereichen von Halbleiter R&D zu erhöhen - und einen großen Erfolg in der Geschichte von SEMATECH-geförderten Konferenzen darzustellen, da diese Technologien von den Tischplattenexperimenten zu völlig angenommener Großserienherstellung in den letzten Jahren des halben Dutzends entwickelt haben.

Last Update: 13. January 2012 13:21

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