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EUV e Modelação Dobro Para Manter o Mapa Rodoviário da Litografia para Diversos Nós Seguintes da Tecnologia

Published on November 12, 2009 at 8:07 AM

Os coordenadores de SEMATECH e a indústria em grande continuam a fazer o progresso em desenvolver a infra-estrutura que permitirá a litografia para a fabricação eficaz na redução de custos, de acordo com os papéis apresentados nos 2009 EUVL Internacionais (Litografia Ultravioleta Extrema) e em 193 Simpósios das Extensões da Imersão do nanômetro em Praga, República Checa. Os simpósios dEste ano co-foram organizados por SEMATECH em colaboração com IMEC, Selete, EUVL, e EUVA.

No duo semana-longo de eventos da litografia, um comparecimento impressionante de quase 400 peritos superiores e os pesquisadores recolheram para discutir o progresso em estender tecnologias actuais ao construir a infra-estrutura para as soluções futuras. Um conjunto de 83 papéis técnicos e de 130 cartazes relatou com calma, progresso medido em muitos pontos chave. Ao mesmo tempo, os apresentadores destacaram a vária tecnologia, infra-estrutura, e os desafios do negócio que a indústria precisa de endereçar a com sucesso introduzem EUVL na fabricação no nó do metade-passo de 22 nanômetro.

“Quando a economia estiver para baixo, o comparecimento realizava-se acima deste ano e nós ultrapassamos o número do ano passado de registos,” disse o Arroz de Bryan, director da litografia em SEMATECH. “Eu atribuo este a uma combinação da necessidade crítica da indústria de endereçar o custo e o risco de desenvolver tecnologias de EUV e a um reconhecimento que 22 soluções do nanômetro devem estar prontas para a inserção muito logo - em 2013.”

Durante o Simpósio do EUVL deste ano, o progresso regular foi relatado para incluir de EUVL:

  • Os Peritos de Cymer relataram que as fontes produzidas laser (LPP) do plasma geram 50 watts no foco intermediário (IF). Isto compara com uma exigência de sistema de 180 watts necessário expr uma por-hora de 100 bolachas na fabricação do volume alto.
  • Os pesquisadores de SEMATECH e os sócios da pesquisa destacaram o papel que chave o consórcio jogou em conseguir avanços significativos em EUV resiste, especificamente com da realização de 20 nanômetro resistem imagens da definição para amplificado quimicamente resistem e endereçando os desafios simultaneamente de encontrar a definição, a linha aspereza da borda (LER), e os alvos da sensibilidade em uma maneira sistemática.
  • Com o EUVL que move-se mais perto da linha piloto introdução, o rendimento da máscara transformou-se um foco crítico e diversos fabricantes assim como consórcios de microplaqueta estão usando a impressão da bolacha e/ou a revisão aérea actínica da imagem para caracterizar defeitos da máscara. Aqueles estudos do printability mostram que o número de defeitos da placa da máscara da impressão aumenta com tamanho de característica de diminuição. Aproximadamente 50 por cento de todos os defeitos inspecionados da máscara - mascare defeitos vazios, defeitos do "absorber", e defeitos do teste padrão - imprimem a nível da bolacha.
  • Última, o Comité de Direcção do Simpósio de EUVL identificou no final das áreas restantes do foco da conferência três que a indústria precisa de trabalhar sobre para permitir a inserção da fabricação de EUVL:
    • 1. Disponibilidade de máscaras defeito-livres, ao longo de um ciclo de vida da máscara, e a necessidade endereçar diferenças críticas da ferramenta da infra-estrutura da máscara, especificamente na inspecção do defeito e na área da revisão do defeito
    • 2. operação a longo prazo da fonte com os 100 W no SE e megajoule 5 pelo dia
    • 3. Simultâneo resista a definição, a sensibilidade, e o LER

O “Bom progresso foi feito para a realização resiste a definição e os alvos da sensibilidade, com alguma melhoria na linha aspereza da borda, e agora os fabricantes de microplaqueta são demonstrar de pós-exposição resistem os processos que conduzem à linha significativamente reduzida aspereza da borda,” disseram o organizador de Stefan Wurm, de Simpósio de EUVL e o director adjunto de SEMATECH da Litografia. “Com a ferramenta da exposição da vanguarda do mundo para EUV resiste aprender, SEMATECH continua a permitir a revelação do elevado desempenho resiste exigido para demonstrar o manufacturability de EUV a nossas empresas do membro e à indústria.”

Os indicadores de progresso Chaves esboçados no Simpósio das Extensões da Imersão, incluem o seguinte:

  • A litografia da Imersão foi estendida aos 22 nanômetro usando uma variedade de aproximações.
  • Uma grande variedade de técnicas que incluem o espaçador, gravura em àgua forte dobro, resiste processos de congelação, gravura em àgua forte da gravura em àgua forte-litho do litho, e a optimização toda da máscara da fonte foi demonstrada como aproximações de modelação dobro viáveis.
  • O orador Convidado David Medeiros, do IBM, sublinhou a explosão da máscara em 22 nanômetro usando a modelação dobro em sua apresentação autorizada “Litografia na Borda.” Sam Sivakumar de Intel previu que os processos futuros da litografia combinarão aproximações múltiplas um pouco do que uma única técnica de vencimento em sua apresentação autorizada “Desafios Técnicos e Fabricando e a Perspectiva para HVM usando a Divisão do Passo de ArF.”
  • Embora o progresso fosse feito para a possibilidade do nó de 22 nanômetro, o destaque da conferência era que o custo da posse é da maior importância do que a solução técnica própria.

Os 2009 Simpósios Internacionais das Extensões de EUVL e de Imersão são elementos centrais da Série do Conhecimento de SEMATECH - um grupo de público, reuniões único-focalizadas da indústria projetadas aumentar o conhecimento global nos pontos chave do R&D do semicondutor - e para representar um grande sucesso na história de conferências SEMATECH-patrocinadas porque estas tecnologias evoluíram das experiências do tabletop ao volume alto inteiramente adotado que fabrica sobre as meias dúzia passadas anos.

Last Update: 13. January 2012 10:47

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