Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

EUV och Dubblett som Mönstrar för Att Underhålla LithographyKretsschemat för Nästa Flera TeknologiKnutpunkter

Published on November 12, 2009 at 8:07 AM

SEMATECH iscensätter, och branschen på stort fortsätter för att göra framsteg, i framkallning av infrastrukturen det som ska för att möjliggöra lithography för kosta-effektivt fabriks-, enligt legitimationshandlingar som framläggas på Landskampen 2009 EUVL (Ultraviolett Lithography för Ytterligheten) och 193 Symposia för nm-ImmersionF8orlängningar i Prague, den Tjeckiska Republiken. Detta års symposia co-organiserades av SEMATECH i samverkan med IMEC, Selete, EUVL och EUVA.

På denlånga duoen av lithographyhändelser samlade en mäktig uppslutning av nästan 400 bästa experter och forskare för att diskutera framsteg på fördjupande strömteknologistunder som bygger infrastrukturen för framtida lösningar. Kombinerad - uppsättningen av 83 tekniska legitimationshandlingar och 130 anmälde affischer stöder, mätt framsteg i många nyckel- områden. Samtidigt markerade presentatörar olika teknologi, infrastruktur och affärsutmaningar som branschen behöver att tilltala lyckat för att sätta in EUVL in i fabriks- på halva-graden för 22 nm knutpunkten.

”Fördriva ekonomin är besegrar, ägde rum uppslutning upp detta år, och vi överträffade det sist året numrerar av registreringar,”, sade Bryan Rice, direktör av lithography på SEMATECH. ”Tillskrivar Jag denna till en kombination av bransch kritiska behov att tilltala kosta, och att riskera av framkallning av EUV-teknologier och till en erkännande, att 22 nm-lösningar måste vara ordnar till för införing mycket snart - i 2013.”,

Stödja framsteg anmäldes för EUVL däribland Under detta års EUVL-Symposiumen:

  • Experter från Cymer anmälde laser producerade plasma (LPP)källor frambringar 50 watt på intermediaten fokuserar (IF). Detta jämför med ett systemkrav av 180 watt som behövs rånper-timmen för blotta 100 i fabriks- kick-volym.
  • SEMATECH-forskare och forskningpartners markerade huvudrollen som konsortiet har lekt, i att uppnå viktiga framflyttningar i EUV, motstår, specifikt till och med att uppnå 20 nm motstå upplösning avbildar för chemically förstärkt motstår och tilltala utmaningarna av möte samtidigt av upplösning, fodrar kantar roughness (LER), och känsligheten uppsätta som mål i ett systematiskt långt.
  • Med EUVL-flyttning närmare pilot- fodra inledning, maskerar avkastning har blivit ett kritiskt fokuserar, och flera gå i flisor producenter, såväl som konsortier använder rånprinting, och/eller den actinic antennen avbildar granskar för att karakterisera maskerar hoppar av. De printabilitystudier visar att numrera av printing maskerar tomt hoppar av förhöjningar med det minskande särdrag storleksanpassar. Omkring 50 kontrollerade procent maskerar allra hoppar av - maskera tomt hoppar av, hoppar av mönstrar något som absorberar någonting och hoppar av - skrivar ut på det jämna rånet.
  • Avslutningsvis identifierade Kommittén för EUVL-SymposiumStyrningen på avslutningen av konferensen tre som återstår fokuserar områden att branschen behöver att fungera på för att möjliggöra fabriks- införing för EUVL:
    • 1. Tillgänglighet av hoppa av-fritt maskerar, alltigenom per maskeralifecycle, och behovet att tilltala kritiskt maskerar infrastruktur bearbetar mellanrum, specifikt i hoppa avkontrollen och hoppar av granskar område
    • 2. långsiktig källfunktion med 100 W på OM och megajoule 5 per dag
    • 3. Samtidigt motstå upplösning, känsligheten och LER

”Har Bra framsteg gjorts in mot att uppnå motstår upplösning, och känsligheten uppsätta som mål, med någon förbättring fodra in kantar roughness och gå i flisor nu producenter är efterexponeringsdemonstrering motstår bearbetar att bly- till markant förminskande fodra kantar roughness,”, sade den Stefan Wurm, EUVL-Symposiumco-stolen och SEMATECHS förbundna direktör av Lithography. ”Med världens framkantexponeringen bearbeta för EUV motstår att lära, fortsätter SEMATECH för att möjliggöra utvecklingen av kickkapaciteten motstår krävt för att visa EUV-manufacturability till våra medlemföretag och branschen.”,

Stämma framstegindikatorer som skisseras på ImmersionF8orlängningsSymposiumen, inkludera efter:

  • Immersionlithography har fördjupas till 22na som nm som använder en variation av, att närma sig.
  • En bred variation av den inklusive avståndsmätaren för tekniker, dubblett etsar, motstår att frysa bearbetar, etsar-litho lithoen etsar, och källan maskerar all optimization visades som livsdugligt mönstra för dubblett att närma sig.
  • Den Inbjudna högtalaren David Medeiros, av IBM, betonade explosionen av att maskera på 22 nm genom att använda dubbelt att mönstra i hans presentation berättigad ”Lithography på Kanta.”, Sam Sivakumar av Intel förutsade att framtida lithography bearbetar ska sammanslutningmultipel att närma sig ganska än en vinnande teknik för singel i hans presentation berättigad ”Tekniska och Fabriks- Utmaningar och Utsikten för HVM genom att använda ArF GradUppdelning.”,
  • Även Om framsteg göras in mot att möjliggöra knutpunkten för 22 nm, var konferensviktign att kosta av äganderätten är av mer stor betydelse än den tekniska lösningen sig själv.

Landskampen 2009 EUVL och ImmersionF8orlängningsSymposia är centralbeståndsdelar av SEMATECH-KunskapsSerien - en uppsättning av allmänhet, singel-fokuserade branschmöten som planläggs till global kunskap för förhöjning i nyckel- områden av halvledareR&D - och föreställer en stor framgång i historien av SEMATECH-sponsrade konferenser, som dessa teknologier har evolved från tabletopexperiment till fullständigt adoptiv- kickvolym som är fabriks- över de förgångna halva dussina åren.

Last Update: 25. January 2012 11:57

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit