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EUV和两次图形保持为接下来的几个技术节点的光刻技术的路线图

Published on November 12, 2009 at 8:07 AM

SEMATECH联盟工程师和行业继续使发展基础设施,使成本效益的制造光刻方面的进展,根据2009年国际极紫外光刻(极端紫外线光刻技术)和193纳米浸入式扩展座谈会在布拉格,捷克共和国提交的文件。今年的专题讨论会合作组织的合作与IMEC,SELETE,极紫外光刻,和EUVA SEMATECH联盟。

在为期一周的光刻事件的两名男子,一个令人印象深刻的近400名顶级专家和研究人员出席齐聚一堂,讨论扩大现有的技术,同时为未来的解决方案的基础设施建设方面取得的进展。一组83篇技术论文和130张海报结合稳定,在许多关键领域的测量进度。与此同时,主持人强调各种技术,基础设施和商业挑战,该行业需要解决的成功插入制造业在22纳米半间距节点的极紫外光刻。

“虽然经济下降,参加了今年,我们超过去年的登记数目,说:”布赖恩水稻,光刻主任在SEMATECH联盟。 “我这一个行业的迫切需要,以解决开发的EUV技术的成本和风险,并承认22纳米解决方案必须为插入做好准备很快组合 - 在2013年”

在今年的极紫外光刻研讨会,取得稳步进展报告EUVL包括:

  • 从Cymer公司的专家报告激光产生的等离子体(LPP)的来源产生50瓦中间对焦(IF)。与此相比,一个需要暴露在大批量制造的每小时100片晶圆的180瓦的系统要求。
  • SEMATECH联盟的研究人员和研究合作伙伴强调财团已取得显著的进步中的EUV抵制方面所发挥的关键作用,特别是通过实现20纳米抵御化学放大高分辨率图像抵制和解决,同时会议的决议,线边缘粗糙度(LER)的挑战,灵敏度目标,有系统地。
  • 随着极紫外光刻试点引入线靠拢,面膜产量已成为一个关键的焦点,几家芯片制造商以及财团正在使用晶片印刷和/或光化航拍图像审查刻画面具缺陷。这些印刷适性的研究表明,印刷光罩缺陷特征尺寸的减小而增加。 50%左右,所有检查面具缺陷 - 光罩缺陷,吸收缺陷,和模式的缺陷 - 在晶圆级打印。
  • 最后,极紫外光刻研讨会指导委员会在会议剩下的三个重点领域,行业需要的工作,让极紫外光刻制造插入结束确定:
    • 1。可用性的无缺陷的口罩,整个口罩的生命周期,以及需要解决的关键面具的基础设施的工具差距,特别是在缺陷检测和缺陷检讨的范围,
    • 2。长期与100瓦的源操作,在每天的IF和5兆焦耳
    • 3。同时抵制分辨率,灵敏度,和LER

斯特凡说:“亚龙”的工作进展良好,已朝着实现抵制分辨率和灵敏度指标,有一些线边缘粗糙度的改善,和现在的芯片制造商展示了暴露后的抵抗过程,导致显著降低线边缘粗糙度,极紫外光刻研讨会合作椅子上,SEMATECH的光刻技术的副主任。 “拥有世界领先的EUV曝光工具的抗拒学习,SEMATECH联盟继续让抵抗所需证明我们的成员公司和行业的EUV技术制造高性能的发展。”

关键的进展浸泡扩展研讨会概述指标,包括以下内容:

  • 浸入式光刻技术已经扩展到22纳米,使用了各种办法。
  • 一个种类繁多,包括垫片,双蚀刻技术,抵御冷冻过程中,光刻刻蚀光刻刻蚀,和源面罩优化都是证明是可行的双重图形方法的。
  • 特邀发言人大卫门德洛斯IBM,强调在22纳米屏蔽爆炸,在其题为演示使用双重图形“边缘上的光刻技术。”萨姆英特尔西瓦库玛预测,未来的光刻工艺将结合多种方法比单一的获奖技术,而他的演讲题为“技术和制造方面的挑战和前景的HVM使用的ArF间距司。”
  • 虽然正在努力使22纳米节点的进展,本次会议的亮点是拥有成本大于技术解决方案本身的重要性。

“2009国际极紫外光刻和沉浸扩展研讨会是的SEMATECH联盟知识系列的核心内容 - 一个市民,单,重点行业,以增加在关键半导体研发领域的全球知识会议设置 - 和代表一个在历史上的伟大成功SEMATECH联盟主办的会议,因为这些技术已经发展从桌面实验完全采纳了在过去半个世纪十几年的大批量制造。

Last Update: 3. October 2011 14:25

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