維護下個幾個技術節點的石版印刷模式的 EUV 和雙仿造

Published on November 12, 2009 at 8:07 AM

SEMATECH 工程師和行業在大繼續取得進展在開發根據論文將啟用石版印刷有效製造的,被介紹在 2009 个國際 EUVL 的基礎設施 (極其紫外石版印刷) 和 193 個毫微米浸沒擴展名討論會在布拉格,捷克共和國。 今年討論會由 SEMATECH 共同創辦在與 IMEC、 Selete、 EUVL 和 EUVA 合作下。

在石版印刷活動一周之間的二重奏,接近 400 位高級專家印象深刻的出席和研究員會集討論在擴大當前技術的進展,當建立將來的解決方法的時基礎設施。 83 個技術文章和 130 張海報聯合組件在許多關鍵區穩當報告了,被評定的進展。 同時,贈送者顯示了多種技術,基礎設施,并且這個行業需要對順利地解決的企業挑戰插入 EUVL 到製造在 22 毫微米半間距節點。

「當經濟下降時,出席啟用了今年,并且我們超過了註冊的去年的編號」,米,石版印刷的主任說布賴恩在 SEMATECH 的。 「我歸因於此行業的重要需要的組合解決開發 EUV 技術的費用和風險和識別 22 個毫微米解決方法一定很快準備好插入在 2013年 -」。

在今年 EUVL 討論會期間,穩固的進步為 EUVL 報告了包括:

  • 從 Cymer 的專家報告激光導致的等離子 (LPP)來源生成 50 瓦特在半成品重點 (IF)。 這在大容積製造中和必要的 180 瓦特的系統要求相比顯示 100 個薄酥餅每時數。
  • SEMATECH 研究員和研究合作夥伴通過達到 20 顯示了這個財團充當達到在 EUV 的重大的預付款抵抗的關鍵角色,毫微米特別地抵抗化工放大的解決方法圖像抵抗和解決同時實現解決方法、線路邊緣坎坷和區分 (LER)目標的挑戰用一個系統的方式。
  • 使用移動離中試線簡介較近的 EUVL,屏蔽產量成為一個重要重點,并且幾個芯片製造者以及財團使用薄酥餅打印和光化空中圖像覆核分析屏蔽缺陷。 那些可印刷性研究向顯示打印屏蔽空白缺陷的數量增加與越來越少的功能大小。 大約 50% 的所有檢查的屏蔽缺陷 - 请屏蔽空白缺陷、吸收體缺陷和模式缺陷 - 打印在薄酥餅級別。
  • 最後, EUVL 討論會指導委員會在這個行業需要運作啟用 EUVL 製造插入的會議三剩餘的重點區結束時識別:
    • 1. 無瑕疵的屏蔽的可用性,在屏蔽生存期期間和需要解決重要屏蔽基礎設施工具空白,特別地在缺陷檢驗和缺陷覆核區
    • 2. 與 100 W 的長期來源每天的運算在,如果和 5 megajoule
    • 3. 同時请抵抗解決方法、區分和 LER

「好進展取得了往達到抵抗解決方法,并且區分目標,與在線路邊緣坎坷的若乾改善和現在芯片製造者是展示暴露後抵抗導致顯著減少的線路邊緣坎坷的進程」,說斯蒂芬 Wurm, EUVL 討論會石版印刷的聯合主席和 SEMATECH 的副主任。 「與為 EUV 的世界的前進風險工具抵抗瞭解, SEMATECH 繼續啟用高性能的發展抵抗必需給我們的成員公司和這個行業展示 EUV manufacturability」。

關鍵進展顯示概述在浸沒擴展名討論會,包括以下:

  • 使用各種各樣的途徑,浸沒石版印刷延伸到 22 毫微米。
  • 各種各樣的技術包括間隔號,雙銘刻,抵抗凍結過程, litho 銘刻litho 銘刻,并且來源屏蔽優化全部被展示了作為可行的雙仿造的途徑。
  • 被邀請的發言人大衛 Medeiros, IBM,強調展開屏蔽在 22 毫微米使用雙仿造在他的題為 「在邊緣的石版印刷的介紹」。 Intel 的山姆 Sivakumar 預計將來的石版印刷進程將結合多個途徑而不是在他的題為 「技術的介紹的一個唯一贏取的技術和製造的挑戰和潛在客戶的 HVM 使用 ArF 間距分部」。
  • 雖然進展取得往啟用 22 毫微米節點,會議高亮度顯示是所有權的費用比技術解決方法是重要性。

2009 個國際 EUVL 和浸沒擴展名討論會是 SEMATECH 知識串聯 - 一套公共,被設計的單一集中的行業會議的主要元素增加全球知識在半導體 R&D 關鍵區 - 和表示在 SEMATECH 被贊助的會議的歷史記錄的巨大成功,因為這些技術從桌面實驗演變到在過去六幾年的充分地採用的大容積製造。

Last Update: 25. January 2012 07:39

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