重要讨论会测试的子22nm 闪存
Published on December 2, 2009 at 8:01 AM
在 12月 8日，在巴尔的摩，马里兰，应用的材料，在 Nanomanufacturing Technology™解决方法的全球领导先锋与创新设备清楚的投资组合，为服务，并且生产的软件产品半导体筹码、平板显示器、太阳光电池、灵活的电子和省能源的玻璃。，将主持测试重要问题的重要讨论会包围行业的功能提供要求的密度和性能满足对高容量闪存筹码的永远生长的需求。 常规浮动门技术能依然是可行在 22nm 之外，否则三维充电是否将捕捉或 nanocrystal 细胞技术胜利？ 这些新的结构将看上去什么象，并且什么更新过程和材料将是需要的实施他们？
题为 “与非如何将闪动在 2X 之外的缩放比例？”，这个讨论会从闪存行业以与主导的技术专家的一次刺激的公开讨论为特色。 面板将辩论面对一刹那比例缩放的挑战并且共享他们的远见行业横向如何将演变，我们输入一个新的十年。
面板：
- Yoshio Nishi，斯坦福大学，调解人
- 荣显 Aochi - 东芝。
- Seiichi Aritome - Hynix Semiconductor， Inc。
- Siyoung 崔 - 三星微电子学，有限公司。
- 柯克 Prall - Micron Technology， Inc。
- 汉斯鹳 - 应用的材料
关于此扣人心弦的活动的更多信息，请参观： http://www.appliedmaterials.com/sub22nm_panel/。