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Posted in | MEMS - NEMS | Nanobusiness

Berichten Sie Prüft Gerät der WeltMEMS und Material-Markt

Published on December 7, 2009 at 10:58 PM

Forschung und Märkte, die führende Quelle für Weltmarktforschung und Marktdaten, hat angekündigt, dass der Zusatz des „MEMS-Geräts und die Materialien“ Bericht zu ihrem Angebot vermarkten.

Entdecken Sie Schlüsseltendenzen in den MEMS-Herstellungsverfahren und den Materialien. Trotz der Krise treibt Innovation noch das MEMS-Geschäft

Das MEMS-Geschäft fährt fort, durch Innovation getrieben zu werden. Nach der Nachfrage nach MEMS-Einheiten für Handys, möchte der MEMS-Abnehmer kleinere, höhere Leistung haben und weniger teures MEMS stirbt. Für die Toolmakers bedeutet es eine Bemühung der ständigen Weiterentwicklung für neue Prozesse, damit schneller tiefe Ätzungskinetik, sauberere Opferradierung, neue metallische Masseverbindung, Verpackenanflüge 3D und waagerecht ausgerichtete Prüfung des Wafers einige benennt. Der neue „Geräten-u. Material-Markt 2009 der WeltMEMS“ („WMEM 09") beschreibt die Tendenzen und die Gelegenheiten für Gerät und Materialien für MEMS-Produktion. Dieser Bericht gibt Marktprognosen für MEMS-Einheiten und das verbundene MEMS-Gerät und -materialien. Obgleich der MEMS-Sektor für das nächste Jahr oder so flach Gesamt bleibt, gibt es Wachstumsbranchen und Raum für Innovation für Trägheits-Schalter MEMS (für Handys), HFS, das Energieernten und die µmirrors.

Der MEMS-Produktions-Hilfsmittelmarkt ist für 2009/2010 flach, aber MEMS-Gerät R&D ist noch aktiv, da Spieler für ein Aufgestockte im Jahre 2011 sich vorbereiten. Bis 2012 erreicht der MEMS-Gerätenmarkt $500M.

Der Bericht WMEM 09 stellt ausführliche Analyse für die verschiedenen Baumuster von Hilfsmitteln für MEMS-Produktion zur Verfügung:

- Tiefe Radierung
- OpferRadierung
- Absetzung u. Reinigung
- Masseverbindung
- Lithographie
- MEMS auf IS
- Standards
- Durch Si Vias
- PrüfungsCAD-Hilfsmittel

Hauptberichtshöhepunkte

Für jedes Baumuster Gerät liefert der Bericht Informationen über die Markt- und Technologietendenzen. Zum Beispiel gibt es aktuell viele konkurrierenden Opferfreigabetechnologien, aber wir sehen wachsenden Zinsen für Opferradierung XeF2.

Dieses ist eine sehr bestimmte Technologie, da es nicht für SiO2 aber für Si, SiGe, polySi, W, Ti und MO verwendet werden kann. Obgleich es auf einige Nischenanwendungen mit nur einer umfangreichen Produktion (iMoDTM von QMT) eingeschränkt wurde, scheint es, dass es erhöhten Zinsen für diese Technologie gibt. Ein Anderer spezifischer MEMS-Prozess, Masseverbindung, ist weg von Glas- und anodischem zu mehr basiertem Metall, für besseres hermeticity und dünnere Linienbreiten beweglich, aber die Masse ist noch die traditionellen Prozesse, und der Stoß dort ist selbstverständlich, die Menge des Grundbesitzes des Silikons zu verringern, der durch die Glasfritte aufgenommen wird, um mehr Einheiten auf einem Wafer zu erhalten, ohne Leistung aufzugeben.

Obgleich vom technischen Standpunkt aus es keine MEMS gibt, das nur Stepperlithographie für alle Schichten im Stapel benötigen, sind die Motivationen, die aktuell eine Schicht von den Ausrichtungstransporten zur Stepperlithographie für MEMS verursachen, manufacturability Punkte und Infrastrukturentwicklungspunkte.

Neues Etwas ist das mögliche Kommen für Standardverfahren für MEMS. Für eine lange Zeit ist die MEMS-Produktionsregel gewesen „Ein Produkt, ein Prozess, ein Paket!“ Aber Europäische Gießereien und R&D-Institute argumentieren Standardverfahrenblöcke sind möglich für MEMS-Produktion. Silex führt die Methode, angespornt durch seinen DurchWafer über und WLP-Plattform: je mehr ein fabs Abnehmer desto besser verwenden kann identische Prozessblöcke, Blöcke oder Plattformen, das prozesskontrollierte und der Ertrag und desto niedriger die Kosten. Andere Spieler sind CEA-Léti für Standardverfahren auf 8-Zoll- Wafers für R&D-fabs. Beispiele von Blöcken umfassen TSV, verpackende HORIZONTALEBENE, hermetische Masseverbindung oder Simembran. Die Integrierung verschiedenen von Blöcken erstellt zusammen eine Funktion (Fühler, Stellzylinder.). Dieser Anflug konkurriert mit Gebrauch von CMOS-Prozess für MEMS-Zellen.

Das Verpacken ist für neue MEMS-Auslegung Schlüssel. Zum Beispiel ist Integration 3D mit TSV jetzt eine industrielle Wirklichkeit mit dem kontinuierlichen erwarteten Wachstum. Integration 3D mit TSV für MEMS ist wahrscheinlich, das folgende Relais des Wachstums für DRIE-Markt zu sein und 3D TSV drückt den Bedarf an der schnelleren Ätzungskinetik (in Richtung zum 100µ/min!). DRIE wird aktuell größtenteils für Trägheits-MEMS-Herstellung verwendet und wird auch in zunehmendem Maße als Ersatz für nasses für Mikrophone, Druckfühler verwendet (wegen der besseren Regelung des Merkmalsprofils, -tiefe und -einheitlichkeit über dem Wafer). Aktuelle Herausforderungen für DRIE sind der Ausbau des Polymers nach Bosch-Prozess, Seitenwandrauheit, Endpunktbefund, Reproduzierbarkeit u. Zuverlässigkeit und erhöhte Ätzungskinetik.

Marktmetrik

Materialien für MEMS sind ein $470M-Markt im Jahre 2012. Im Hinblick auf Wafergröße gibt es einen Übergang von 6" bis 8" Wafergröße für die Firmen, die mit Großserien-MEMS-Anwendungen beschäftigt gewesen werden. Es gibt 10 MEMS-Firmen, die bereits 8" Wafers mit 5 neuen Mitteilungen im Jahre 2009 aufbereiten. SOI-Wafers werden verwendet und ungefähr 23% des Summe aufbereiteten Wafers in $M-Wert darstellen. Starkes SOI (0,2 bis µ 60) wird für Opferfreigabe verwendet. Es gibt eine Tendenz für stärkeren KASTEN (> µ 5) für MEMS-Einheiten, die höheren Ausschlag benötigen (wie micromirrors oder einige Kreiselkompasse).

Yoles Forschung zeichnet auf die laufende Arbeit seiner Analytiker, die 150 MEMS-Anwendungen aufspüren, angesammelt in 12 bedeutende Kategorien Einheiten: Tintenstrahlköpfe, Druckfühler, Mikrophone, Beschleunigungsmesser, Kreisel, MOEMS, Mikrobolometer, Mikrobildschirmanzeigen, Mikrofluidik, HF MEMS, Mikrospitzen und auftauchende MEMS-Einheiten. Informationen werden direkt von den Anlagen- u. Einheitsherstellern und von den Geräten- u. Materiallieferanten erfasst.

Last Update: 13. January 2012 11:16

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