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主持討論會測試的子22nm 閃存的應用的材料

Published on December 8, 2009 at 6:16 AM

在 12月 8日,在巴爾的摩,馬里蘭,應用的材料將主持測試重要問題的重要討論會包圍行業的功能提供要求的密度和性能滿足對高容量閃存籌碼的永遠生長的需求。 常規浮動門技術能依然是可行在 22nm 之外,否则三維充電是否將捕捉或 nanocrystal 細胞技術勝利? 這些新的結構將看上去什麼像,并且什麼更新過程和材料將是需要的實施他們?

題為 「與非如何將閃動在 2X 之外的縮放比例?」,這個討論會從閃存行業以與主導的技術專家的一次刺激的公開討論為特色。 面板將辯論面對一刹那比例縮放的挑戰并且共享他們的遠見行業橫向如何將演變,我們輸入一個新的十年。

面板: Yoshio Nishi,斯坦福大學,調解人
榮顯 Aochi - 東芝。
Seiichi Aritome - Hynix Semiconductor, Inc。
Siyoung 崔 - 三星微電子學,有限公司。
柯克 Prall - Micron Technology, Inc。
漢斯鸛 - 應用的材料

那裡: 坎登圍場的巴爾的摩 Marriott 內在港口
110 南 Eutaw 街,巴爾的摩,馬里蘭 21201

當: 星期二, 2009年 12月 8日

計劃: 5:15 pm6 :15pm 註冊和接收
6:15 pm7 :30pm 公開討論
7:30 pm8 :00pm 網絡連接

關於此扣人心弦的活動的更多信息,请請參觀: http://www.appliedmaterials.com/sub22nm_panel/。

Applied Materials, Inc. (那斯達克:AMAT) 是在 Nanomanufacturing Technology™解決方法的全球領導先鋒與創新設備一個清楚的投資組合,半導體籌碼的製造的服務和軟件產品,平板顯示器、太陽光電池、靈活的電子和省能源的玻璃。 在應用的材料,我們適用 Nanomanufacturing 技術改進活方式的人員。

Last Update: 25. January 2012 09:46

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