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Posted in | Nanoelectronics

Beträchtliche Fortschritte in Auftauchenden Zweikanalmagnetbandelementen, in den Energiesparenden Einheiten und in den Hohen Mobilitäts-Kanal-Transistoren

Published on December 8, 2009 at 6:29 PM

Ältere Technologen, Leitprogramme und Lehrkörper überall in von der Gemeinschaft des Halbleiters R+D legten die technischen Daten vor, die beträchtliche Fortschritte in auftauchenden Zweikanalmagnetbandelementen, in den Energiesparenden Einheiten und in den hohen Mobilitätskanaltransistoren an einem SEMATECH-geführten Seminar über „Auftauchende Technologien in den Halbleiterbauelementen“ aufdecken.

Die 5. jährliche SEMATECH-Werkstatt, co-sponsern durch Tokyo Electron Limited und Aixtron AG und in Verbindung mit den Internationalen Treffenden Elektron-Einheiten IEEE angehalten (IEDM), kennzeichnete ein ergänzendes Set von über 40 Darstellungen und Podiumsdiskussionen auf innovativen Lösungen zum technischen und zur Herstellung ficht verbundenes mit auftauchenden nanoelectronics Technologien an. Werkstattteilnehmer umrissen wichtige Entwicklungen und Herausforderungen in den folgenden Bereichen:

Auftauchende Zweikanalmagnetbandelemente

  • Einige auftauchende Technologien, wie NAND 3D, Phasenänderungsspeicher (PRAM), magnetoresistenter Speicher (MRAM), Drehbeschleunigungsanziehdrehmomentübergangsspeicher (STT-RAM) und widerstrebender Speicher (RRAM), sind aktuell im Spiel, und Förderungen umfassen:
    • Ein neues Verständnis im widerstrebenden Speicher, unter Verwendung der Anflüge basierte entweder auf Entstehung von Leitfäden in den widerstrebenden Materialien oder auf Ionentransport.
    • Eingebettetes STT-RAM für integrierte Anwendungen des drahtlosen Apparats.
    • Die Integration von 3D verbindet sich und Zweikanalmagnetbandelemente untereinander, um Speicherdichte zu erhöhen.
    • Der Gebrauch von Bandeabstandstechnik für Ladungsblockierflash-speicher und -alternativen zum herkömmlichen D-RAM wie neuem einzelnem Transistor D-RAM.
  • Die Industrie hat mindestens 34 Materialien als Kandidaten für RRAM-Technologie gekennzeichnet. Von einer Herstellungsperspektive regte SEMATECH einen Fokus auf dem unten-Auswählen an, wie durchführbar, zu den Dutzend „grünen Materialien“ die bereits in fabs angenommen worden sind.
  • Gastteilnehmer bestätigten den auftauchende Zweikanalmagnetbandelemente sind die viel versprechenden Lösungen, zum von den Skalierungsproblemen auszutauschen, die mit den aktuellen Speichern verbunden sind und feststellten, dass auftauchende Speicher Anwendung-gesteuert sind - mit verschiedenen Permutationen der Leistung, der Dichte, der Drehzahl und der Kosten - und dass es keine Universalspeicherlösungen gibt.

Hohe Mobilitäts-Kanal-Transistoren

  • Transistoren unter Verwendung Nichtsilikon Materialien wie III-V und Germanium (Ge) zeigen beträchtliches Versprechen in der Mobilitätsverbesserung, in der Einspritzgeschwindigkeit und in der Spannungsskalierung verglichen mit belastetem Silikon.
  • III-V Materialien, die auf einer InGaAs-Anlage basieren, scheinen, die bevorzugte Option für N-Kanäle zu sein, während entweder GE oder III-V (möglicherweise eine belastete Antimonid-basierte Anlage) möglicherweise für P-Kanäle angebracht sind.
  • Während einige kritische Herausforderungen bleiben - einschließlich Torstapel, Kanäle mit niedriger Defektdichte und geeignete Kreuzungs- und Kontakttechnologie - Ausschussmitglieder stimmten darin überein, dass diese möglicherweise sind nicht Showstoppers und mit neuer Architektur für sub-15nm Knotenpunkte ausgeglichen werden.
  • Zusätzlicher Gebrauch für III-V Materialien über CMOS hinaus wurde, einschließlich HF-Schaltungen, Tunnelbaufeldeffekttransistoren und nanophotonic Einheiten behandelt.

Energiesparende Einheiten

  • Darstellungen kennzeichneten neue Konzepte zur Mischung der herkömmlichen und Kleinleistungselektronik mit Mehr als Moore-Konzepte und reichten von den graphene-basierten Nanomaterials, die Energie, die Einheiten ernten, und selbst-betriebene Fühler, bis zu Einheiten NEMS und NEMory (Nano---Galvano-mechanischer Permanentspeicher) und MEMS-Bildschirmanzeigen für bewegliche Anwendungen.

Materialien SEMATECHS und technische Teams der auftauchenden Technologien erneuern durchweg, um vorhandene Technologien zu entwickeln und auszudehnen und Annahme von auftauchenden Technologien zu beschleunigen. SEMATECH hat Seminare über das Thema von III-V Materialien für die letzten Jahre bewirtet. Das Lernziel ist, Ideen mit Experten auszutauschen und Zusammenarbeit unter verschiedenen Institutionen und Forschern zu erhöhen.

Last Update: 13. January 2012 11:16

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