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Posted in | Nanoelectronics

Avances Importantes en Tecnologías de Memoria Emergentes, Dispositivos Económicos de energía y Altos Transistores del Canal de la Movilidad

Published on December 8, 2009 at 6:29 PM

Los tecnólogos, los segundos comandantes, y la facultad Mayores de enfrente de la comunidad del semiconductor R+D presentaron los datos técnicos que revelaban avances importantes en tecnologías de memoria emergentes, dispositivos económicos de energía y altos transistores del canal de la movilidad en un curso SEMATECH-llevado sobre “Tecnologías Emergentes en Dispositivos De Estado Sólido”.

El 5to curso anual de SEMATECH, copatrocinador por Tokyo Electron Limited y Aixtron AG y sujetado conjuntamente con los Dispositivos de Electrón Internacionales de IEEE Que Se Encontraban (IEDM), ofreció un conjunto complementario sobre de 40 presentaciones y las discusiones de panel sobre soluciones puntas al técnico y a la fabricación desafían asociado con tecnologías emergentes del nanoelectronics. Los participantes del Curso contornearon progresos y retos importantes en las áreas siguientes:

Tecnologías de Memoria Emergentes

  • Varias tecnologías emergentes, tales como 3D NAND, memoria del cambio de fase (COCHECITO DE NIÑO), la memoria magnetoresistente (MRAM), la memoria de la transferencia de la torque de la barrena (STT-RAM), y la memoria resistente (RRAM), están actualmente en juego, y los adelantos incluyen:
    • Una nueva comprensión en memoria resistente, usando aproximaciones basó en la formación de filamentos de conducto en materiales resistentes o en transporte de ión.
    • STT-RAM Embutido para las aplicaciones integradas del dispositivo inalámbrico.
    • La integración de 3D las tecnologías interconecta y de memoria para aumentar densidad de memoria.
    • El uso de la ingeniería de la separación de banda para memorias Flash y las opciones del desvío de la carga a las Copitas convencionales tales como únicas COPITAS nuevas del transistor.
  • La industria ha determinado por lo menos 34 materiales como candidatos a tecnología de RRAM. De una perspectiva de la fabricación, SEMATECH animó un enfoque en la hacia abajo-selección, como posible, a los docena “materiales verdes” que se han validado ya en fabs.
  • Los miembros del jurado de la Huésped reconocieron eso las tecnologías de memoria emergentes son soluciones prometedoras para reemplazar los problemas de la graduación a escala asociados a las memorias actuales, concluyendo que las memorias emergentes aplicación-serán impulsadas - con diversas permutaciones de la potencia, de la densidad, de la velocidad, y del costo - y que no hay soluciones universales de la memoria.

Altos Transistores del Canal de la Movilidad

  • Los Transistores usando los materiales del no-silicio tales como III-V y germanio (Ge) están mostrando promesa importante en la mejoría de la movilidad, la velocidad de la inyección, y la graduación a escala del voltaje con respecto al silicio esforzado.
  • Los materiales de III-V basados en un sistema de InGaAs parecen ser la opción preferida para los Canales N, mientras que GE o III-V (quizás un sistema antimoniuro-basado esforzado) puede ser apropiado para los canales de P.
  • Mientras Que sigue habiendo varios retos críticos - incluyendo pilas de la entrada, los canales con densidad inferior del defecto, y la tecnología conveniente de la unión y del contacto - los miembros del grupo de expertos estuvieron de acuerdo que éstos no son showstoppers y se pueden vencer con las configuraciones nuevas para los nodos de sub-15nm.
  • Las aplicaciones Adicionales para los materiales de III-V más allá del CMOS fueron discutidas, incluyendo los circuitos del RF, los transistores del efecto de campo el hacer un túnel, y los dispositivos nanophotonic.

Dispositivos Económicos de energía

  • Las Presentaciones ofrecieron nuevas aproximaciones a mezclar electrónica convencional y de baja potencia con Más que los conceptos de Moore, colocando de los nanomaterials graphene-basados, energía que cosechaba los dispositivos, y sensores autopropulsados, a los dispositivos de NEMS y de NEMory (memoria no volátil nano-electro-mecánica) y a las visualizaciones de MEMS para las aplicaciones movibles.

Los materiales de SEMATECH y las personas técnicas de las tecnologías emergentes están innovando constantemente para desarrollar y para ampliar tecnologías existentes y para acelerar la adopción de tecnologías emergentes. SEMATECH ha recibido cursos sobre el tema de los materiales de III-V durante los últimos años. El objetivo es intercambiar ideas por los expertos y aumentar la colaboración entre las diversos instituciones e investigadores.

Last Update: 13. January 2012 09:24

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