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Posted in | Nanoelectronics

उभरते स्मृति प्रौद्योगिकी, ऊर्जा कुशल उपकरणों और उच्च गतिशीलता चैनल ट्रांजिस्टर में महत्वपूर्ण अग्रिम

Published on December 8, 2009 at 6:29 PM

वरिष्ठ प्रौद्योगिकीविदों, अधिकारियों, और अर्धचालक अनुसंधान भर से संकाय + डी समुदाय तकनीकी उभरते स्मृति प्रौद्योगिकी, ऊर्जा कुशल उपकरणों और उच्च गतिशीलता चैनल ट्रांजिस्टर में महत्वपूर्ण प्रगति का खुलासा डेटा प्रस्तुत SEMATECH "ठोस राज्य उपकरणों में उभरते टेक्नोलॉजीज" पर कार्यशाला के नेतृत्व वाली .

5 वार्षिक SEMATECH कार्यशाला, टोक्यो इलेक्ट्रॉन लिमिटेड और Aixtron एजी द्वारा सह प्रायोजित और IEEE अंतर्राष्ट्रीय इलेक्ट्रॉन डिवाइस बैठक (IEDM) के साथ संयोजन के रूप में आयोजित 40 से अधिक प्रस्तुतियों और अत्याधुनिक समाधान पर पैनल चर्चा के एक पूरक सेट, तकनीकी विशेषताओं और विनिर्माण चुनौतियों उभरते nanoelectronics प्रौद्योगिकियों के साथ जुड़ा हुआ है. कार्यशाला में प्रतिभागियों को निम्नलिखित क्षेत्रों में महत्वपूर्ण घटनाओं और चुनौतियों को रेखांकित:

उभरते प्रौद्योगिकियों स्मृति

  • 3D नंद, चरण परिवर्तन स्मृति (बच्चों की गाड़ी), magnetoresistive स्मृति (MRAM), स्पिन टोक़ हस्तांतरण स्मृति (एसटीटी राम), और प्रतिरोधक स्मृति (RRAM) के रूप में उभरती प्रौद्योगिकियों, का एक संख्या में खेलने में वर्तमान में हैं, और प्रगति में शामिल हैं:
    • प्रतिरोधक स्मृति में एक नई समझ, या तो प्रतिरोधक सामग्री में या आयन परिवहन पर filaments के संचालन के गठन पर आधारित दृष्टिकोण का उपयोग कर.
    • एकीकृत वायरलेस डिवाइस अनुप्रयोगों के लिए एंबेडेड एसटीटी राम.
    • 3 डी के एकीकरण interconnects और स्मृति प्रौद्योगिकी घनत्व स्मृति में वृद्धि.
    • बैंड अंतराल इंजीनियरिंग के प्रभारी जाल फ़्लैश यादें और उपन्यास एकल ट्रांजिस्टर DRAMs जैसे पारंपरिक DRAMs के लिए विकल्प के लिए उपयोग करें.
  • उद्योग RRAM प्रौद्योगिकी के लिए उम्मीदवार के रूप में 34 कम से कम सामग्री की पहचान की है. परिप्रेक्ष्य में से एक विनिर्माण, SEMATECH नीचे का चयन, के रूप में संभव पर एक ध्यान के दर्जन "हरी सामग्री" कि पहले से ही fabs में स्वीकार किया गया है करने के लिए प्रोत्साहित किया.
  • अतिथि पैनल स्वीकार किया है कि उभरते प्रौद्योगिकियों स्मृति स्केलिंग वर्तमान यादों के साथ जुड़ी समस्याओं को बदलने के समाधान का वादा कर रहे हैं, समापन है कि उभरते यादें आवेदन संचालित किया जाएगा - सत्ता के विभिन्न क्रमपरिवर्तन के साथ, घनत्व, गति, और लागत - और है कि वहाँ कोई सार्वभौमिक स्मृति समाधान कर रहे हैं .

उच्च गतिशीलता चैनल ट्रांजिस्टर

  • -III वी और जर्मेनियम (जीई) के रूप में गैर सिलिकॉन सामग्री का उपयोग ट्रांजिस्टर गतिशीलता में सुधार, इंजेक्शन वेग, और वोल्टेज स्केलिंग में महत्वपूर्ण वादा दिखा रहे हैं के रूप में तनावपूर्ण सिलिकॉन की तुलना में.
  • III-V एक InGaAs सिस्टम पर आधारित सामग्री N चैनलों के लिए पसंदीदा विकल्प होने लगते हैं, जबकि या तो जीई या तृतीय-V (शायद एक तनावपूर्ण antimonide आधारित प्रणाली) पी चैनल के लिए उपयुक्त हो सकता है.
  • गेट के ढेर, कम घनत्व दोष के साथ चैनलों, और उपयुक्त जंक्शन और संपर्क प्रौद्योगिकी सहित - जबकि कई गंभीर चुनौतियां भी समिति के सदस्यों ने इस बात पर सहमत हुए कि इन पुरुष सजाया नहीं हैं और उप 15nm नोड्स के लिए उपन्यास आर्किटेक्चर के साथ दूर किया जा सकता है.
  • CMOS परे III-V सामग्री के लिए अतिरिक्त का उपयोग करता है, आरएफ सर्किट, सुरंग क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर, और nanophotonic उपकरणों सहित पर विचार - विमर्श किया गया.

ऊर्जा कुशल उपकरणों

  • प्रस्तुतियाँ मूर अवधारणाओं से अधिक के साथ पारंपरिक और कम बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स सम्मिश्रण, graphene आधारित nanomaterials, ऊर्जा संचयन उपकरणों, और स्वयं संचालित सेंसर से लेकर NEMS और NEMory (नैनो विद्युत यांत्रिक अनह्रासी स्मृति) के लिए नया दृष्टिकोण विशेष रुप से प्रदर्शित उपकरणों और मोबाइल अनुप्रयोगों के लिए MEMS के प्रदर्शित करता है.

है SEMATECH सामग्री और उभरते प्रौद्योगिकियों तकनीकी टीमों लगातार innovating को विकसित करने और मौजूदा प्रौद्योगिकियों का विस्तार और उभरती प्रौद्योगिकियों के गोद लेने में तेजी लाने के. SEMATECH है पिछले कई वर्षों के लिए III-V सामग्री के विषय पर कार्यशालाओं की मेजबानी की है. इस उद्देश्य के लिए विशेषज्ञों के साथ विचारों का आदान प्रदान और विभिन्न संस्थाओं और शोधकर्ताओं के बीच सहयोग बढ़ाने है.

Last Update: 7. October 2011 23:31

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