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Posted in | Nanoelectronics

出現のメモリ技術、エネルギー効率が良い装置および高い移動性チャネルのトランジスターの重要な前進

Published on December 8, 2009 at 6:29 PM

半導体 R+D のコミュニティからの年長の科学技術者、エグゼクティブおよび能力は 「ソリッドステート装置の出現技術」の SEMATECH 主導の研修会で出現のメモリ技術、エネルギー効率が良い装置および高い移動性チャネルのトランジスターの重要な前進を明らかにする技術的なデータを示しました。

および Aixtron AG 後援された第 5 年次 SEMATECH の研修会は限定され、会う IEEE の国際的な電子デバイスと共に保持された東京電子によって (IEDM) 40 の提示を上のの補足の一組特色にし、技術的でおよび製造への最先端の解決についての公開討論会は出現の nanoelectronics の技術との準に挑戦します。 研修会の関係者は次の領域の重要な開発そして挑戦の輪郭を描きました:

出現のメモリ技術

  • いくつかの出現技術は、 3D 否定論履積のような演劇に、相変化のメモリ (手押車)、磁気抵抗メモリ (MRAM)、回転のトルクの転送のメモリ (STT-RAM)、および抵抗メモリ (RRAM)、現在あり、進歩は下記のものを含んでいます:
    • アプローチを使用して抵抗メモリの新しい理解は、抵抗材料の行なうフィラメントの形成またはイオン輸送に基づいていました。
    • 統合された無線デバイスのアプリケーションのための埋め込まれた STT-RAM。
    • 3D の統合はメモリ技術記録密度を増加するために相互接続し。
    • 新しい単一のトランジスタードラムのような慣習的なドラムへの料金のトラップのフラッシュ・メモリそして代わりのためのバンドギャップ工学の使用。
  • 企業は RRAM の技術のための候補者として少なくとも 34 の材料を識別しました。 製造業の見通しから、 SEMATECH は、選択、の焦点を fabs に既に受け入れられてしまったダースつの 「緑材料」に実行可能ように励ましました。
  • ゲストのパネリストはそれを出現のメモリ技術ですこと出現のメモリがアプリケーション主導である結論を出す現在のメモリと関連付けられたスケーリング問題を取り替える有望な解決認めました - 力、密度、速度および費用の異なった置換と -、そしてユニバーサルメモリ解決がないことを。

高い移動性チャネルのトランジスター

  • III-V およびゲルマニウムのような非ケイ素材料を使用してトランジスターは (Ge)移動性の改善、注入の速度および緊張したケイ素と比べて電圧スケーリングで重要な約束を示しています。
  • InGaAs システムに基づく III-V 材料は GE か III-V (多分緊張したアンチモン化物ベースのシステム) は P チャネルのために適切かもしれないが N チャネルのための希望する選択のようです。
  • 複数の重大な挑戦が残る間、 - 低い欠陥の密度のゲートスタック、チャネル、および適した接続点および接触の技術を含んで - パネル・メンバーはこれらが showstoppers ではないし、副15nm ノードのための新しいアーキテクチャと克服されるかもしれないことを同意しました。
  • CMOS を越える III-V 材料のための追加使用は RF 回路、トンネルを掘るフィールド効果のトランジスターおよび nanophotonic 装置を含んで、論議されました。

エネルギー効率が良い装置

  • 提示は graphene ベースの nanomaterials、エネルギー装置を、および移動式アプリケーションのための NEMS および NEMory (nano エレクトロ機械不揮発性メモリ) 装置そして MEMS の表示まで自己動力センサーから収穫する、及ぶムーアの概念より多くと慣習的な、低電力電子工学を混ぜることに新しいアプローチを特色にしました。

SEMATECH の材料および出現技術の技術的なチームは一貫して開発し、既存の技術を拡張し、出現技術の採用を加速するために革新しています。 SEMATECH は III-V 材料のトピックの研修会をここ数年間催してしまいました。 目的は考えを専門家と交換し、異なった施設および研究者間の共同を高めることです。

Last Update: 13. January 2012 07:49

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