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在新興的存儲技術,高效節能設備和高移動通道晶體管的重大進展

Published on December 8, 2009 at 6:29 PM

高級技術人員,管理人員,教師和來自全國各地的半導體R + ð社會提出的技術數據,揭示在新興的存儲技術,高效節能設備,並在一個較高的流動性溝道晶體管的顯著進步SEMATECH聯盟為首的“固態器件的新興技術“的車間。

第五屆 SEMATECH聯盟研討會,東京電子有限公司和AIXTRON AG公司共同主辦,並在IEEE國際電子器件會議(IEDM)同時舉行,有特色的一個超過 40尖端解決方案的演示和小組討論的互補技術與新興納米電子技術和製造方面的挑戰。研討會的與會者概述了重要的事態發展和挑戰,在以下幾個方面:

新興的存儲技術

  • 一些新興技術,如3D NAND和相變存儲器(PRAM),磁阻存儲器(MRAM),自旋轉移存儲器(STT - RAM的),和電阻式記憶體(RRAM),目前正在發揮,進步包括:
    • 一個電阻式記憶體的新的認識,使用的基礎上進行電阻材料或離子轉運細絲形成的方法。
    • STT - RAM的嵌入式集成的無線設備應用。
    • 三維集成互連和記憶體技術,以提高記憶體密度。
    • 收費陷阱的快閃記憶體和取代傳統的DRAM,如新的單晶體管的DRAM使用的帶隙工程。
  • 這個行業已經確定了至少34 RRAM技術候選人材料。從製造業的角度來看,SEMATECH聯盟鼓勵選擇,可行的焦點,打“綠色材料”,已經到工廠接受。
  • 訪客小組成員承認,新興的存儲技術是有前途的解決方案,以取代當前回憶相關的結垢問題,得出的結論,新興的回憶將應用程序的驅動 - 與權力的不同排列,密度,速度和成本 - 和有沒有通用的內存解決方案。

高遷移率通道晶體管

  • 相比,應變矽晶體管的非矽材料使用III - V族和鍺(Ge),如在流動性的改善,注射速度和電壓縮放比例顯著承諾。
  • III - V材料基礎上的InGaAs系統似乎是N通道的首選方案,而GE或III - V族(也許是緊張銻為基礎的系統)可能是適當的P通道的。
  • 雖然幾個關鍵的挑戰依然存在 - 包括柵堆疊,低缺陷密度的渠道,以及合適的交界處和接觸技術 - 小組成員一致認為,這些都不是攪局者,並可能與 15nm的子節點新穎的結構克服。
  • 超越CMOS III - V材料的額外的使用進行了討論,包括射頻電路,隧道場效應晶體管,納米光子器件。

高效節能設備

  • 藝術特色融合超越摩爾定律的概念更多的常規和低功耗電子產品,石墨為基礎的納米材料,能源收集裝置,和自供電的傳感器,NEM和NEMory(納米機電非易失性內存)的新方法設備和移動應用的MEMS顯示器。

SEMATECH的材料技術和新興技術的技術團隊不斷創新,發展和擴大現有的技術,並加快採用新興技術。 SEMATECH聯盟主辦工作坊,過去幾年的III - V材料主題。我們的目標是,與專家交流思想,並加強不同機構和研究人員之間的協作。

Last Update: 3. October 2011 05:29

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