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Les Caractéristiques techniques d'Intégration Abaisse des Nombres de Composants de Systèmes Généraux

Published on December 15, 2009 at 4:24 AM

Entreprise Manufacturière de Semi-conducteur de Taïwan, Ltd (TWSE : 2330, NYSE : Technologies de la transformation modulaires aujourd'hui dévoilées de BCD de TSM) (Bipolaire, CMOS DMOS) visant les dispositifs intégrés de gestionnaire de la haute tension LED.

Les technologies neuves de BCD comportent un spectre de tension fonctionnant de 12 à 60 volts pour supporter des applications multiples de LED comprenant le contre-jour d'affichage à panneau plat d'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, les affichages de LED, l'éclairage général et l'éclairage automobile. Le portefeuille de technologie enjambe les noeuds de processus de 0,6 microns à 0,18 microns avec un certain nombre d'options modulaires de noyau digital pour varier des densités de porte de circuit de commande numérique. Les supports après-vente de prototypage de CyberShuttleTM les procédés de 0,25 microns et de 0,18 microns pour la vérification préliminaire de fonctionnement.

Les procédés neufs fournissent un certain nombre de caractéristiques techniques d'intégration qui réduisent les nombres des composants de système. La capacité robuste de la haute tension DMOS fournit l'intégration de contact de TRANSISTOR MOSFET pour réduire la nomenclature (BOM). Les options constitutives passives intégrées comprennent les condensateurs à haute tension de précision bipolaire, à haute tension, haute, poly de haute résistance et les Diodes Zener pour réduire le nombre de composants passif externe et pour réduire de manière significative la zone de carte à circuit.

Le procédé de DMOS supporte la performance aboutissante de Rdson de la fonderie (c.-à-d. ; le mohm 72 selon mm2 à volts BV>80 pour un 60V NLDMOS) et sa capacité pilotante à forte intensité particulier optimise les tailles de dispositif qui augmentent l'efficience d'alimentation électrique. Une zone robuste d'opération sûre (SOA) lui effectue l'idéal pour l'interrupteur d'alimentation et le gestionnaire concevoir. La caractérisation détaillée Fine fournit également une référence utile pour optimiser le budget de design pour la taille optima de puce.

Du côté de CMOS, les éléments analogiques d'un design de Contrôleur de Modulation à Largeur d'Impulsions (PWM) de supports de 5 volts de capacité et les noyaux de logique de 2,5 volts et de 1,8 volts sont les modules optionnels pour l'intégration digitale de plus haut niveau. De plus, les options programmables une fois compatibles (OTP) programmables de logique et (MTP) de multi-temps de mémoire sont disponibles pour le design de programmation digital amélioré.

« Les technologies neuves de BCD pour des gestionnaires de LED sont bord d'attaque très dans l'intégration de dispositif pilotant. Les modèles hautement précis associés d'ÉPICE de caractéristique technique de PDKs qui augmentent réellement le potentiel pour le design de puce unique facile, » précise George Liu, Directeur, Développement Commercial Industriel. « De plus, les modèles de mauvais accouplement aident à optimiser la performance de mauvais accouplement actuelle dans les designs multivoies de gestionnaire de LED. »

Last Update: 13. January 2012 09:48

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