TurboDisc Novo K465i Combina a Produtividade A Mais Alta do MOCVD da Indústria do DIODO EMISSOR DE LUZ com os Rendimentos da Melhor-em-Classe

Published on January 19, 2010 at 8:11 AM

Veeco Instrumentos Inc. (Nasdaq: VECO) anunciado hoje a introdução do Sistema Orgânico do Depósito de Vapor Químico do Metal do nitreto do gálio de TurboDisc® K465i™ (GaN (MOCVD)) para a produção dos diodos luminescentes do alto-brilho (Diodo emissor de luz do HB). Os clientes líder de mercado do beta local de Veeco qualificaram ràpida o K465i para a produção de volume, e a Empresa recebeu pedidos para o sistema dos clientes múltiplos do DIODO EMISSOR DE LUZ durante todo a região de Asia Pacific.

Baseado na plataforma produção-provada das K-Séries de Veeco, o TurboDisc novo K465i combina a produtividade a mais alta da indústria com a capacidade para conduzir os rendimentos do DIODO EMISSOR DE LUZ da melhor-em-classe que aproximam 90 por cento em um escaninho 5nm. Automatizado Inteiramente com somente um período curto da recuperação exigido após a manutenção, o TurboDisc K465i permite uma produtividade mais alta e o custo reduzido da posse comparados às ferramentas competitivas.

De acordo com Bill Miller, Ph.D., Vice-presidente Superior, Director Geral do negócio do MOCVD de Veeco, “Com uniformidade superior do comprimento de onda e repetibilidade excelente da corrida-à-corrida, o K465i estende o chumbo na eficiência de capital - o número de Veeco de boas bolachas pelo dia para cada dólar de capital - para fabricantes do DIODO EMISSOR DE LUZ do volume alto. Nós somos extremamente satisfeitos que nossos clientes do beta local conseguiram resultados da mundo-classe muito em um curto período de tempo. O interesse da Indústria no K465i é forte.”

John R. Peeler, o Director Geral de Veeco, adicionado, “As K-Séries é uma plataforma robusta, segura, multi-geracional do MOCVD em que esteja na produção mais de 80% dos fabricantes chaves do DIODO EMISSOR DE LUZ do mundo. Veeco é comprometido a avançar sua liderança aumentando o investimento do R&D, introduzindo novas tecnologias inovativas, a capacidade de produção ramping do MOCVD, e partnering com clientes para maximizar sua fabricação do DIODO EMISSOR DE LUZ. O Sistema do MOCVD de K465i é o exemplo o mais atrasado de Veeco que conduz abaixo do custo do Diodo emissor de luz para permitir aplicações tais como o backlighting do indicador e a iluminação geral.”

A Procura para o Diodo emissor de luz do HB é alta e esperada aumentar nos próximos anos. Em um relatório De agosto de 2009, do “Revisão do Mercado do DIODO EMISSOR DE LUZ Alto-Brilho e Previsto 2009,” previsão Ilimitada das Estratégias firmes da pesquisa o mercado do DIODO EMISSOR DE LUZ do HB a crescer em 2013 de $5,1 bilhões em 2008 a $14,9 bilhões, representando uma taxa de crescimento anual composta de 24%.

“Nossa pesquisa indica que os motoristas fundamentais para o mercado do DIODO EMISSOR DE LUZ do HB se tornaram mesmo mais fortes nos últimos anos como as novas aplicações para o Diodo emissor de luz na iluminação e os luminosos continuam a emergir,” disseram Robert V. Steele, Director, prática do DIODO EMISSOR DE LUZ em Estratégias Ilimitadas. “Encontrar a procura opressivamente que nós esperamos este criará sobre os próximos anos, fabricantes do DIODO EMISSOR DE LUZ precisará de ramp rapidamente acima suas capacidades da fabricação, incluindo a adição de capacidade substancial do MOCVD.”

TurboDisc K465i: Uniformidade e Repetibilidade pelo Projecto

No centro do Sistema do MOCVD de TurboDisc K465i GaN é a tecnologia Uniforme pendente de FlowFlange® da patente de Veeco. Projectou criar um alkyl uniforme e o teste padrão de fluxo do hidruro através de todas as bolachas, o K465i entrega a uniformidade e a repetibilidade superiores com geração da partícula da indústria a mais baixa. O projecto simplificado do FlowFlange fornece o facilidade--ajustamento para a optimização de processo rápida em tamanhos da bolacha de até 8 polegadas e do tempo de recuperação rápido da ferramenta após a manutenção para a produtividade a mais alta da indústria do DIODO EMISSOR DE LUZ.

Last Update: 13. January 2012 05:54

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