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SEMATECH Para Demostrar la Litografía Ultravioleta Extrema en SPIE Avance la Litografía 2010

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

Los Asuntos críticos y las soluciones potenciales en la preparación de la litografía ultravioleta extrema (EUVL) para la fabricación en grandes cantidades serán explorados por los tecnólogos de SEMATECH en las conferencias de la Litografía 2010 el 21-25 de febrero Avance SPIE en San Jose, CA.

El Programa de la Litografía de SEMATECH se basa en la Universidad de la Ciencia de Nanoscale y del Complejo de Albany NanoTech de la Ingeniería (CNSE).

“SEMATECH ha tenido un año extraordinario en litografía, y proyectamos demostrar nuestros éxitos en SPIE,” dijo el Arroz de Bryan, Director de la Litografía. “Mostraremos cómo estamos llevando constantemente la industria en la activação de la máscara de EUV y nos opondremos/infraestructura de los materiales así como viabilidad y asequibilidad de la fabricación de EUVL.”

Un tema de cabeza será infraestructura de la máscara de EUVL, un área en la cual SEMATECH ha propuesto un nuevo consorcio de la industria. Los Avances en EUV resisten el revelado - incluyendo el éxito de SEMATECH con sus 0,3 herramientas del microexposure (NA) de la apertura numérica (ENCONTRADAS) en CNSE y la Universidad de California en Berkeley - también serán ofrecidos. Otros papeles de SEMATECH revestirán retiro de la partícula y el examen para las máscaras de EUV, y las técnicas de la metrología para el examen óptico del defecto y modelar doble.

Las presentaciones de SEMATECH y de ISMI en SPIE incluyen, por el tema, fecha y tiempo:

Infraestructura de la Máscara de EUVL

Miércoles 24 de Febrero

  • 8:40 Mañana: metodología de la corrección del E-Haz para la remuneración del nonflatness de la máscara en la línea experimental de EUVL
  • 4:50 P.M.: Una estrategia de la revista del examen y del defecto para la línea experimental de EUV y la fabricación en grandes cantidades

Resista

Lunes 22 de Febrero

  • 2:50 P.M.: La Caracterización del promesa resiste las plataformas para el estudio del manufacturability de sub-30-nm HP y del extendibility de EUV-CAR
  • el 5:40 P.M. EUV Fino resiste y el underlayer empila: correlacionando el Tg, alise polaridad, densidad, y calidad de la imagen

Martes 23 de Febrero

  • 8:40 Mañana: Revelado de una fotoprotección inorgánico-basada para DUV, EUV, y la proyección de imagen del e-haz

Jueves 25 de Febrero

  • 10:30 Mañana: El SEMATECH Berkeley ENCONTRADO activando el revelado de EUV más allá del medio tono de 22 nanómetro

Retiro de la Partícula y Examen de la Máscara

Martes 23 de Febrero

  • 2 de la tarde: Un estudio de defectos en máscara de EUV usando el examen en blanco, el examen modelado de la máscara, y el examen del fulminante
  • 3:00 P.M.: Retos del retiro de la Partícula de las máscaras modeladas EUV para el nodo de sub-22-nm HP

Miércoles 24 de Febrero

  • 6 de la tarde: La capacidad de la protección de la Partícula de EUV SEMI obediente se dobla barquilla

Metrología, Examen, y Mando De Proceso

Martes 23 de Febrero

  • 8:40 Mañana: Los límites y la extensibilidad del examen modelado óptico del defecto
  • 11:10 Mañana: Detección de LER/LWR usando métodos espectroscópicos del oscuro-campo
  • 6 de la tarde: Utilitario de CD-SEM con modelar del doble (sesión del asentador)
  • 6 de la tarde: Reconstruya el corte transversal de FinFET usando CD-SAXS (la sesión del asentador)

Jueves 25 de Febrero

  • 8:30 Mañana: influencia Electrón-haz-Inducida de la contracción de la fotoprotección en los 2.os perfiles
  • 2:10 P.M.: Material de Referencia (RM) 8820: un nuevo patrón versátil del NIST para el nanometrology

Otros Temas

Miércoles 24 de Febrero

  • 6 de la tarde: Modelado de la carbonización de la óptica extremo-ultravioleta
  • 6 de la tarde: Caracterización de la contaminación en la óptica de la iluminación de la herramienta extremo-ultravioleta de la exposición del micro-campo de SEMATECH

Fuente: http://www.sematech.org/

Last Update: 13. January 2012 03:52

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