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SEMATECH Per Dimostrare la Litografia Ultravioletta Estrema a SPIE Ha Avanzato la Litografia 2010

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

Le Questioni critiche e le soluzioni potenziali nel preparare la litografia ultravioletta estrema (EUVL) per la fabbricazione in grande quantità saranno esplorate dai tecnologi di SEMATECH alla Litografia Avanzata SPIE conferenze i 2010 21-25 febbraio in San José, CA.

Il Programma della Litografia di SEMATECH è basato all'Istituto Universitario di Scienza di Nanoscale e del Complesso di Albany NanoTech dell'Assistenza Tecnica (CNSE).

“SEMATECH ha avuto un anno straordinario in litografia e pianificazione dimostrare i nostri successi a SPIE,„ ha detto il Riso di Bryan, Direttore della Litografia. “Mostreremo come piombo coerente l'industria nel permettere alla maschera di EUV e resisteremo a/infrastruttura dei materiali come pure possibilità ed accessibilità di fabbricazione di EUVL.„

Un argomento principale sarà l'infrastruttura della maschera di EUVL, un'area in cui SEMATECH ha proposto un nuovo consorzio dell'industria. Gli Avanzamenti in EUV resistono allo sviluppo - compreso il successo di SEMATECH con i sui 0,3 strumenti di microexposure (NA) dell'apertura diaframma numerica (INCONTRATI) a CNSE e l'Università di California a Berkeley - egualmente saranno descritti. Altri documenti di SEMATECH riguarderanno la rimozione della particella e l'ispezione per le maschere di EUV e le tecniche della metrologia per ispezione ottica di difetto ed il doppio modello.

Le presentazioni di ISMI e di SEMATECH a SPIE includono, dall'oggetto, data e tempo:

Infrastruttura della Maschera di EUVL

Mercoledì 24 Febbraio

  • 8:40 di mattina: metodologia di correzione del E-Raggio per compensazione del nonflatness della maschera nel cavo pilota di EUVL
  • 4:50 p.m.: Una strategia di rassegna di difetto e di ispezione per il cavo pilota di EUV e la fabbricazione in grande quantità

Resista A

Lunedì 22 Febbraio

  • 2:50 p.m.: La Caratterizzazione di promessa resiste alle piattaforme per lo studio di manufacturability di sub-30-nm HP e di extendibility di EUV-CAR
  • il 5:40 p.m. Assottiglia EUV resiste a ed il underlayer impila: correlando il Tg, affiori polarità, densità e qualità di immagine

Martedì 23 Febbraio

  • 8:40 di mattina: Sviluppo ad un di un photoresist basato a inorganica per DUV, EUV e rappresentazione del e-raggio

Giovedì 25 Febbraio

  • 10:30 di mattina: Il SEMATECH Berkeley INCONTRATO spingendo sviluppo di EUV oltre il mezzo passo di 22 nanometro

Rimozione della Particella ed Ispezione della Maschera

Martedì 23 Febbraio

  • 2 del pomeriggio: Uno studio sui difetti sulla maschera di EUV facendo uso di ispezione in bianco, di ispezione modellata della maschera e di ispezione del wafer
  • 3:00 p.m.: Sfide di rimozione della Particella delle maschere modellate EUV per il vertice di sub-22-nm HP

Mercoledì 24 Febbraio

  • 6 del pomeriggio: La capacità della protezione della Particella dei SEMI EUV compiacente si raddoppia baccello

Metrologia, Ispezione e Controllo dei Processi

Martedì 23 Febbraio

  • 8:40 di mattina: I limiti e l'estensibilità di ispezione modellata ottica di difetto
  • 11:10 di mattina: Rilevazione di LER/LWR facendo uso dei metodi spettroscopici del scuro-campo
  • 6 del pomeriggio: Utilità di CD-SEM con il modello del doppio (sessione del manifesto)
  • 6 del pomeriggio: Ricostruisca la sezione trasversale di FinFET facendo uso di CD-SAXS (sessione del manifesto)

Giovedì 25 Febbraio

  • 8:30 di mattina: da influenza Indotta da elettrone di restringimento del photoresist sui 2D profili
  • 2:10 p.m.: Materiale di riferimento (RM) 8820: un nuovo standard versatile del NIST per il nanometrology

Altri Argomenti

Mercoledì 24 Febbraio

  • 6 del pomeriggio: Modellistica della carbonizzazione dell'ottica estremo-ultravioletta
  • 6 del pomeriggio: Caratterizzazione di contaminazione sull'ottica di illuminazione dello strumento estremo-ultravioletto di esposizione del micro-campo di SEMATECH

Sorgente: http://www.sematech.org/

Last Update: 13. January 2012 05:03

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