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SEMATECH가 SPIE 고급 리소그래피 2010에서 익스 트림 자외선 리소그래피을 증명할

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

대량 생산을위한 극단적인 자외선 리소그래피 (EUVL)을 준비의 중요한 문제와 잠재적인 솔루션 SPIE 고급 리소그래피에서 SEMATECH의 기술자에 의해 탐험 될 산호세, 캘리포니아에서 2010 회의 2월 21일에서 25일까지.

SEMATECH 리소그래피 프로그램은 Nanoscale 과학의 (CNSE) 알바니 나노테크 단지의 대학에서 기초하고있다.

"SEMATECH은 리소그래피에 특별한 올해 가지고 있으며, 우리는 SPIE에서 성공을 증명하기 위해 계획,"브라이언 라이스, 리소그래피 이사는 말했다. "우리는 EUV 마스크를 활성화에 우리가 지속적으로 업계를 선도하는 방법 표시 및 / 소재 인프라는 물론 EUVL 제조 타당성 및 경제성을 거부할 것"이라고 말했다.

주요 주제 EUVL 마스크 인프라, SEMATECH는 새로운 업계 컨소시엄을 제안가있는 지역 것입니다. EUV의 진보 개발에 저항 -의 0.3 수치 CNSE에서 개구 (NA) microexposure 도구 (MET)와 버클리 캘리포니아 대학과 SEMATECH의 성공을 포함하여 -도 추천합니다. 다른 SEMATECH 서류는 광학 결함 검사 및 이중 patterning에 대한 입자 제거 및 검사 EUV 마스크, 그리고 계측 기술을 커버합니다.

SPIE에서 SEMATECH과 ISMI 프리젠 테이션 제목, 날짜와 시간으로 다음과 같습니다

EUVL 마스크 인프라

2월 24일 (수요일)

  • 8시 40분 오전 : EUVL 파일럿 라인 마스크 nonflatness의 보상을위한 e - 빔 보정 방법
  • 오후 4시 50분 : EUV 파일럿 라인과 대량 생산을위한 검사 및 결함 검토 전략

저항

2월 22일 (월요일)

  • 2시 50분의 PM : 하위 30 나노미터 HP의 제조 및 EUV - 자동차 extendibility 연구를위한 플랫폼을 저항 약속의 특성화
  • 오후 5시 40분 씬 EUV는 하부층 스택에 저항하고 : 연관 TG, 표면 극성, 밀도 및 이미지 품질을

2월 23일 (화요일)

  • DUV, EUV를위한 무기 기반의 포토 레지스트의 개발 및 e - 빔 영상 : 8시 40분 오전

2월 25일 (목요일)

  • 오전 10:30 : SEMATECH 버클리 22 나노미터 하프 피치 넘어 EUV 개발을 추진 MET

입자 제거 및 마스크 검사

2월 23일 (화요일)

  • 오후 2시 : 빈 검사, 패턴 마스크 검사, 그리고 웨이퍼 검사를 사용하여 EUV 마스크의 결함 연구
  • 오후 3시 : 하위 22 나노미터 HP 노드 EUV 마스크 패턴의 입자 제거 도전

2월 24일 (수요일)

  • 오후 6시 : SEMI 규격 EUV 듀얼 포드 입자 보호 기능

계측, 검사 및 공정 제어

2월 23일 (화요일)

  • 8시 40분 오전 : 광학 패턴 결함 검사의 한계와 확장성
  • 오전 11시 10분 : LER / LWR 감지 어두운 필드 spectroscopic 방법을 사용
  • 오후 6시 더블 patterning (포스터 세션)로 CD - SEM 유틸리티
  • 오후 6시 : CD - SAXS을 (포스터 세션)를 사용 FinFET 단면을 재구성

2월 25일 (목요일)

  • 오전 8:30 : 2D 프로필에 전자 - 빔 - 유도 포토 레지스트 수축에 영향을
  • 2시 10분의 PM : 참고 자료 (RM) 8820 : nanometrology을위한 다용도의 새로운 NIST 표준

다른 주제

2월 24일 (수요일)

  • 오후 6시 : 익스 트림 자외선 광학 모델링 탄화
  • 오후 6시 : SEMATECH 익스 트림 자외선 마이크로 필드 노출 도구의 조명 광학에 대한 오염의 특성

출처 : http://www.sematech.org/

Last Update: 6. October 2011 05:20

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