Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Technical Sales Solutions - 5% off any SEM, TEM, FIB or Dual Beam
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanofabrication

There is 1 related live offer.

5% Off SEM, TEM, FIB or Dual Beam

SEMATECH naar Extreme Ultraviolet Lithography demonstreren bij SPIE geavanceerde lithografie 2010

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

Kritieke problemen en mogelijke oplossingen bij de voorbereiding van extreem ultraviolet lithografie (EUVL) voor high-volume productie zal worden onderzocht door SEMATECH technologen op de SPIE geavanceerde lithografie 2010 conferenties 21-25 februari in San Jose, CA.

De SEMATECH Lithography Programma is gebaseerd op het College van Nanoscale Science and Engineering (CNSE) Albany NanoTech Complex.

"SEMATECH heeft een uitzonderlijk jaar in de lithografie, en we zijn van plan om onze successen te tonen op SPIE", zegt Bryan Rice, Lithografie directeur. "We zullen hoe we consequent zijn de toonaangevende show in waardoor EUV masker en weerstaan ​​/ materialen infrastructuur en EUVL productie haalbaarheid en betaalbaarheid."

Een belangrijke onderwerp wordt EUVL masker infrastructuur, een gebied waarin SEMATECH heeft voorgesteld een nieuwe industrie consortium. Vooruitgang in de EUV weerstaan ​​ontwikkeling - waaronder begrepen het succes SEMATECH met zijn 0,3 numerieke apertuur (NA) microexposure tools (MET) op CNSE en de Universiteit van Californië in Berkeley - ook zullen worden vertoond. Andere SEMATECH papers zullen dekken deeltjes verwijdering en inspectie voor EUV-maskers, en metrologie technieken voor optische defect inspectie en dubbele patronen.

SEMATECH en ISMI presentaties op SPIE omvatten, op onderwerp, datum en tijd:

EUVL Mask Infrastructuur

Woensdag 24 februari

  • 08u40: E-beam correctie methode voor vergoeding van het masker nonflatness in EUVL pilot line
  • 16u50: een inspectie-en defect herziening strategie voor EUV pilot line en high-volume productie

Weerstand

Maandag 22 februari

  • 14u50: Karakterisering van veelbelovende weerstaan ​​platforms voor sub-30-nm HP produceerbaarheid en EUV-CAR uitbreidbaarheid studie
  • 17:40 Thin EUV weerstaan ​​en onderlaag stacks: correlatie Tg, oppervlakte polariteit, dichtheid en beeldkwaliteit

Dinsdag 23 februari

  • 08u40: Ontwikkeling van een anorganisch-based fotolak voor DUV, EUV, en e-beam imaging

Donderdag 25 februari

  • 10u30: De SEMATECH Berkeley MET duwen EUV-ontwikkeling verder dan 22 nm half pitch

Deeltjes verwijderen en Mask Inspectie

Dinsdag 23 februari

  • Veertien: Een studie van de defecten aan EUV masker met behulp van blanco keuring, patroon masker inspectie, en de wafer inspectie
  • 15u00: Particle verwijderen uitdagingen van de EUV-patroon maskers voor de sub-22-nm HP knooppunt

Woensdag 24 februari

  • Achttien: Particle capaciteit voor de bescherming van de SEMI compliant EUV dual pod

Metrologie, Inspectie, en Process Control

Dinsdag 23 februari

  • 08u40: De grenzen en uitbreidbaarheid van optische patroon defect inspectie
  • 11u10: LER / LWR detectie met behulp van dark-field spectroscopische methoden
  • Achttien: CD-SEM utility met dubbele patronen (poster sessie)
  • Achttien: Reconstrueer FinFET doorsnede met behulp van CD-SAXS (poster sessie)

Donderdag 25 februari

  • 08u30: Electron-beam-geïnduceerde fotolak krimp invloed op de 2D-profielen
  • 14u10: Referentiemateriaal (RM) 8820: een veelzijdige nieuwe NIST standaard voor nanometrologie

Andere onderwerpen

Woensdag 24 februari

  • Achttien: Modelleren verkoling van extreem-ultraviolet optiek
  • Achttien: Karakterisering van vervuiling op de verlichting optiek van de SEMATECH extreem-ultraviolet micro-veld blootstelling aan gereedschap

Bron: http://www.sematech.org/

Last Update: 9. October 2011 02:59

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit