Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Technical Sales Solutions - 5% off any SEM, TEM, FIB or Dual Beam
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanofabrication

There is 1 related live offer.

5% Off SEM, TEM, FIB or Dual Beam

SEMATECH для того чтобы Продемонстрировать Весьма Ультрафиолетов Литографирование на SPIE Выдвинуло Литографирование 2010

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

Насущные проблемы и потенциальные разрешения в подготовлять весьма ультрафиолетов литографирование (EUVL) для высокообъемного изготавливания будут исследованы технологами SEMATECH на Литографировании Выдвинутом SPIE конференций 21-ое-25 февраля 2010 в Сан-Хосе, CA.

Программа Литографированием SEMATECH основана на Коллеже Науки Nanoscale и Комплекса Albany NanoTech Инджиниринга (CNSE).

«SEMATECH имело внесметный год в литографировании, и мы планируем продемонстрировать наши успехи на SPIE,» сказал Рис Брайан, Директор Литографированием. «Мы покажем как мы последовательно водим индустрию в включать маску EUV и сопротивляем/инфраструктура материалов так же, как изготавливание EUVL осуществимость и доступность.»

Ведущая тема будет инфраструктурой маски EUVL, областью в которой SEMATECH предлагало новый консорциум индустрии. Выдвижения в EUV сопротивляют развитию - включая успех SEMATECH с своими 0,3 (ВСТРЕЩЕННЫМИ (NA)) инструментами microexposure численной апертуры на CNSE и Университетом Штата Калифорнии на Беркли - также будут отличены. Другие бумаги SEMATECH покроют удаление частицы и осмотр для маск EUV, и методы метрологии для оптически осмотра дефекта и двойного делать по образцу.

Представления SEMATECH и ISMI на SPIE включают, вопросом, дата и время:

Инфраструктура Маски EUVL

Четверг 24-ое Февраля

  • 8:40 A.M.: методология коррекции E-Луча для компенсации nonflatness маски в линии EUVL пилотной
  • 4:50 P.m.: Стратегия просмотрения осмотра и дефекта для линии EUV пилотной и высокообъемного изготавливания

Сопротивляйте

Вторник 22-ое Февраля

  • 2:50 P.m.: Характеризация обещать сопротивляет платформам для изучения manufacturability HP sub-30-nm и extendibility EUV-CAR
  • 5:40 P.m. Тонкое EUV сопротивляет и underlayer штабелирует: сопоставляющ Tg, отделайте поверхность полярность, плотность, и качество изображения

Среда 23-ье Февраль

  • 8:40 A.M.: Развитие неорганическ-основанного фоторезиста для DUV, EUV, и воображения e-луча

Пятница 25-ое Февраль

  • 10:30 A.M.: SEMATECH ВСТРЕЩЕННОЕ Беркли нажимающ развитие EUV за тангажом 22 nm половинным

Удаление Частицы и Осмотр Маски

Среда 23-ье Февраль

  • 2 часа дня: Изучение дефектов на маске EUV используя пустой осмотр, сделанный по образцу осмотр маски, и осмотр вафли
  • 3:00 P.m.: Возможности удаления Частицы маск сделанных по образцу EUV для узла HP sub-22-nm

Четверг 24-ое Февраля

  • ь часов вечера: Возможность предохранения от Частицы SEMI уступчивого EUV удваивает стручок

Метрология, Осмотр, и Управление Производственным Процессом

Среда 23-ье Февраль

  • 8:40 A.M.: Пределы и extensibility оптически сделанного по образцу осмотра дефекта
  • 11:10 A.M.: Обнаружение LER/LWR используя методы затемненного поля спектроскопические
  • ь часов вечера: Общее назначение CD-SEM с делать по образцу двойника (встреча плаката)
  • ь часов вечера: Реконструируйте поперечное сечение FinFET используя CD-SAXS (встреча плаката)

Пятница 25-ое Февраль

  • 8:30 A.M.: Электрон-луч-Наведенное влияние усушки фоторезиста на 2D профилях
  • 2:10 P.m.: Опорный материал (RM) 8820: разносторонний новый стандарт NIST для nanometrology

Другие Темы

Четверг 24-ое Февраля

  • ь часов вечера: Моделирование углероживания весьма-ультрафиолетов оптики
  • ь часов вечера: Характеризация загрязнения на оптике освещения инструмента выдержки микро--поля SEMATECH весьма-ультрафиолетов

Источник: http://www.sematech.org/

Last Update: 13. January 2012 05:56

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit