Site Sponsors
  • Technical Sales Solutions - 5% off any SEM, TEM, FIB or Dual Beam
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanofabrication

There is 1 related live offer.

5% Off SEM, TEM, FIB or Dual Beam

SEMATECH att demonstrera Extreme Ultraviolet Litografi på SPIE avancerad litografi 2010

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

Kritiska frågor och möjliga lösningar för att förbereda extrem ultraviolett litografi (EUVL) för högvolymstillverkning kommer att utredas av SEMATECH teknologer på SPIE avancerad litografi 2010 konferenser 21-25 februari i San Jose, Kalifornien.

Den SEMATECH Litografi Programmet baseras på College of nanovetenskap och Engineerings (CNSE) Albany nanoteknik Complex.

"SEMATECH har haft en extraordinär år i litografi, och vi planerar att visa våra framgångar på SPIE", säger Bryan Rice, Litografi direktör. "Vi ska visa hur vi ständigt är ledande inom branschen gör EUV mask och motstå / material infrastruktur samt EUVL tillverkning genomförbarhet och överkomliga priser."

En ledande tråd blir EUVL mask infrastruktur, ett område där SEMATECH har föreslagit en ny industri konsortium. Framsteg inom EUV motstå utveckling - inklusive SEMATECH framgång med sina 0,3 numeriska bländaröppningen (NA) microexposure verktyg (MET) på CNSE och University of California i Berkeley - också kommer att finnas med. Andra SEMATECH papper täcker partikelavskiljning och kontroll för EUV masker, och tekniker metrologi för optiska fel inspektion och dubbel mönstring.

SEMATECH och ISMI presentationer vid SPIE inkluderar, efter ämne, datum och tid:

EUVL Mask Infrastruktur

ONSDAG 24 februari

  • 08:40: E-beam korrigering metodik för ersättning av mask nonflatness i EUVL pilotbana
  • 16:50: en inspektion och fel översyn strategi för EUV pilot-line och högvolymstillverkning

Motstå

Måndag 22 feb

  • 14:50: Karakterisering av lovande motstå plattformar för sub-30-nm HP tillverkningen och EUV-CAR utbyggbarhet studie
  • 05:40 Tunn EUV motstå och underlaget stackar: korrelera Tg, yta polaritet, densitet och bildkvalitet

Tisdag 23 februari

  • 08:40: Utveckling av en oorganisk-baserad fotoresist för DUV, EUV och e-beam imaging

Torsdag, 25 februari

  • 10:30: Den SEMATECH Berkeley status driver EUV utveckling bortom 22 nm halv tonhöjd

Partikelavlägsning och Mask Inspection

Tisdag 23 februari

  • 02:00: En studie av fel på EUV mask Använda tomma inspektion, mönstrad mask inspektion och rån inspektion
  • 03:00: partikelavlägsning utmaningar EUV mönstrade masker för sub-22-nm HP nod

ONSDAG 24 februari

  • 18:00: Particle skydd förmåga SEMI-kompatibel EUV dubbla pod

Metrologi, Inspektion, och processtyrning

Tisdag 23 februari

  • 08:40: De begränsningar och utbyggbarhet av optiska mönstrade defekt inspektion
  • 11:10: LER / LWR detektion med mörka fält spektroskopiska metoder
  • 18:00: CD-SEM-verktyget med dubbel mönstring (affisch session)
  • 18:00: Rekonstruera FinFET tvärsnitt med hjälp av CD-SAXS (affisch session)

Torsdag, 25 februari

  • 08:30: elektronstrålebehandlade-inducerad fotoresist krympning inflytande på 2D-profiler
  • 02:10: Referensmaterial (RM) 8820: en mångsidig ny NIST standard för nanometrologi

Övriga ämnen

ONSDAG 24 februari

  • 18:00: Modellering pyrolys av extrem-UV-optik
  • 18:00: Karakterisering av föroreningar på belysningen optiken i SEMATECH extrem-UV mikro-fältexponering verktyg

Källa: http://www.sematech.org/

Last Update: 6. October 2011 05:20

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit