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展示极其紫外石版印刷的 SEMATECH 在 SPIE 提前石版印刷 2010年

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

关键问题和可能的解决办法在极其紫外石版印刷 (EUVL) 为大容积制造做准备将由 SEMATECH 技术专家测试 SPIE 提前的石版印刷的 2010 个会议 CA. 2月 21-25 在圣荷西。

SEMATECH 石版印刷程序在 Nanoscale 科学和工程的 (CNSE) 阿尔巴尼 NanoTech 复杂学院根据。

“SEMATECH 在石版印刷方面有一非常年,并且我们计划展示我们的成功在 SPIE”,石版印刷主任说布赖恩米。 “我们将显示我们如何一贯地导致在启用 EUV 屏蔽的行业并且抵抗/材料基础设施以及 EUVL 制造可行性和支付能力”。

主导的事宜将是 EUVL 屏蔽基础设施, SEMATECH 建议一个新的行业财团的区。 在 EUV 的预付款抵抗发展 - 包括与其 0.3 数值口径 microexposure 工具 (NA) (满足) 在 CNSE 和加州大学伯克利分校的 SEMATECH 的成功 - 也将以为特色。 其他 SEMATECH 文件将报道微粒删除和检验 EUV 屏蔽的和计量学技术的光学缺陷检验和双仿造。

在 SPIE 的 SEMATECH 和 ISMI 介绍由主题包括,日期和时间:

EUVL 屏蔽基础设施

星期三, 2月 24日

  • 8:40 上午: E 射线屏蔽 nonflatness 的报酬的更正方法在 EUVL 中试线的
  • 4:50 P.m. : EUV 中试线和大容积制造的一个检验和缺陷复核方法

抵抗

星期一, 2月 22日

  • 2:50 P.m. : 承诺的描述特性抵抗子 30 nm HP manufacturability 和 EUV-CAR extendibility 研究的平台
  • 5:40 P.m. 稀薄的 EUV 抵抗,并且衬层堆积: 关联 Tg,请出现极性、密度和图象质量

星期二, 2月 23日

  • 8:40 上午: 基于无机的光致抗蚀剂的发展 DUV、 EUV 和 e 射线想象的

星期四, 2月 25日

  • 10:30 上午: SEMATECH 会见的伯克利推进在 22 毫微米半间距之外的 EUV 发展

微粒删除和屏蔽检验

星期二, 2月 23日

  • 下午 2 点: 缺陷的研究在 EUV 屏蔽的使用空白检验、被仿造的屏蔽检验和薄酥饼检验
  • 3:00 P.m. : 微粒 EUV 子 22 nm HP 节点的被仿造的屏蔽的删除挑战

星期三, 2月 24日

  • 下午 6 点: 微粒半兼容 EUV 的保护功能双倍荚

计量学,检验和程序控制

星期二, 2月 23日

  • 8:40 上午: 光学被仿造的缺陷检验的限额和延伸性
  • 11:10 上午: 使用黑暗域分光镜方法的 LER/LWR 检测
  • 下午 6 点: 与双仿造的 CD-SEM 实用程序 (海报会议)
  • 下午 6 点: 重建 FinFET 横断面使用 CD-SAXS (海报会议)

星期四, 2月 25日

  • 8:30 上午: 对第 2 个配置文件的电子射线诱发的光致抗蚀剂收缩影响
  • 2:10 P.m. : 参考资料 (RM) 8820 : nanometrology 的一个多才多艺的新的 NIST 标准

其他事宜

星期三, 2月 24日

  • 下午 6 点: 塑造极其紫外光学的碳化
  • 下午 6 点: 污秽的描述特性在 SEMATECH 极其紫外微型域风险工具的照明光学的

来源: http://www.sematech.org/

Last Update: 13. January 2012 01:23

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