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展示極其紫外石版印刷的 SEMATECH 在 SPIE 提前石版印刷 2010年

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

關鍵問題和可能的解決辦法在極其紫外石版印刷 (EUVL) 為大容積製造做準備將由 SEMATECH 技術專家測試 SPIE 提前的石版印刷的 2010 個會議 CA. 2月 21-25 在聖荷西。

SEMATECH 石版印刷程序在 Nanoscale 科學和工程的 (CNSE) 阿爾巴尼 NanoTech 複雜學院根據。

「SEMATECH 在石版印刷方面有一非常年,并且我們計劃展示我們的成功在 SPIE」,石版印刷主任說布賴恩米。 「我們將顯示我們如何一貫地導致在啟用 EUV 屏蔽的行業并且抵抗/材料基礎設施以及 EUVL 製造可行性和支付能力」。

主導的事宜將是 EUVL 屏蔽基礎設施, SEMATECH 建議一個新的行業財團的區。 在 EUV 的預付款抵抗發展 - 包括與其 0.3 數值口徑 microexposure 工具 (NA) (滿足) 在 CNSE 和加州大學伯克利分校的 SEMATECH 的成功 - 也將以為特色。 其他 SEMATECH 文件將報道微粒刪除和檢驗 EUV 屏蔽的和計量學技術的光學缺陷檢驗和雙仿造。

在 SPIE 的 SEMATECH 和 ISMI 介紹由主題包括,日期和時間:

EUVL 屏蔽基礎設施

星期三, 2月 24日

  • 8:40 上午: E 射線屏蔽 nonflatness 的報酬的更正方法在 EUVL 中試線的
  • 4:50 P.m. : EUV 中試線和大容積製造的一個檢驗和缺陷覆核方法

抵抗

星期一, 2月 22日

  • 2:50 P.m. : 承諾的描述特性抵抗子 30 nm HP manufacturability 和 EUV-CAR extendibility 研究的平臺
  • 5:40 P.m. 稀薄的 EUV 抵抗,并且襯層堆積: 關聯 Tg,请出現極性、密度和圖像質量

星期二, 2月 23日

  • 8:40 上午: 基於無機的光致抗蝕劑的發展 DUV、 EUV 和 e 射線想像的

星期四, 2月 25日

  • 10:30 上午: SEMATECH 會見的伯克利推進在 22 毫微米半間距之外的 EUV 發展

微粒刪除和屏蔽檢驗

星期二, 2月 23日

  • 下午 2 點: 缺陷的研究在 EUV 屏蔽的使用空白檢驗、被仿造的屏蔽檢驗和薄酥餅檢驗
  • 3:00 P.m. : 微粒 EUV 子 22 nm HP 節點的被仿造的屏蔽的刪除挑戰

星期三, 2月 24日

  • 下午 6 點: 微粒半兼容 EUV 的保護功能雙倍莢

計量學,檢驗和程序控制

星期二, 2月 23日

  • 8:40 上午: 光學被仿造的缺陷檢驗的限額和延伸性
  • 11:10 上午: 使用黑暗域分光鏡方法的 LER/LWR 檢測
  • 下午 6 點: 與雙仿造的 CD-SEM 實用程序 (海報會議)
  • 下午 6 點: 重建 FinFET 橫斷面使用 CD-SAXS (海報會議)

星期四, 2月 25日

  • 8:30 上午: 對第 2 個配置文件的電子射線誘發的光致抗蝕劑收縮影響
  • 2:10 P.m. : 參考資料 (RM) 8820 : nanometrology 的一個多才多藝的新的 NIST 標準

其他事宜

星期三, 2月 24日

  • 下午 6 點: 塑造極其紫外光學的碳化
  • 下午 6 點: 汙穢的描述特性在 SEMATECH 極其紫外微型域風險工具的照明光學的

來源: http://www.sematech.org/

Last Update: 25. January 2012 13:56

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