CNSE的奥尔巴尼纳米技术复杂的合作,将针对22纳米面膜缺陷及以下

Published on February 18, 2010 at 8:53 AM

SEMATECH联盟已推出一个全球财团在纳米科学和工程公司(CNSE)奥尔巴尼纳米技术复杂学院发展极端紫外线光刻技术(EUVL)所需的先进的口罩上的缺陷检测的关键计量工具-灌装需要太个别公司的昂贵的行业独立发展。

新的极紫​​外光刻面具基础设施(EMI)的伙伴关系已引起浓厚的兴趣,从六个半导体产业实体。其他成员正在寻求财团,将实行一项雄心勃勃的计量程序,使2013年的大批量制造无缺陷的极紫外光刻面具。

,SEMATECH的先进技术的副总裁约翰说Warlaumont:“”EUV掩模缺陷的一个最大的挑战,EUV技术准备,但找到需要的缺陷尚不存在的计量工具,。 “这些工具将无法及时提供不加干预,业界同意,SEMATECH联盟的地方走到一起,合作伙伴的解决方案。”

EMI的伙伴关系是开放的面具和芯片制造商,光罩供应商,其他财团和区域政府。这将是SEMATECH的光刻计划管理,在UAlbany NanoCollege。

“先进计量解决方案的发展是至关重要的加速EUV光刻技术的纳米电子器件的制造的使用,说:”理查德Brilla,CNSE副总裁战略联盟和财团。 “再次,SEMATECH联盟的UAlbany NanoCollege之间的伙伴关系是利用CNSE的基础设施和推动创新的研究,这将支持我们的企业合作伙伴和纳米电子行业的需求。”

光学光刻技术是不太可能能模式芯片,超越了22纳米技术的产生,和极紫外光刻,波长仅为13.5纳米,被广泛认为是最佳替代光学光刻。 EUV技术用于亚22纳米图案的口罩必须几乎无缺陷,以避免他们转移到芯片电路 - ,但目前的计量工具一般都在寻找低于32纳米的缺陷无效。

EMI伙伴关系将解决这三个计量工具的发展拨款,分阶段计量的差距。一是努力将集中在2011年启用增强的EUV掩模空白检测能力,空中成像测量系统的发展(AIMS™)于2013年的EUV,和最后一条EUV掩模图形的检测工具,能够在16纳米到2015年的工作。这些工具制造原型预计将耗资估计达200万以上。

自2003年以来,半导体产业已位居前三名的技术问题,无缺陷的EUV口罩,SEMATECH联盟,导致了技术方案,以推动减少缺陷。在业界的要求,SEMATECH联盟所需的计量基础设施的一个专题研讨会在SEMICON West 2009年7月开始推行一个consortial的解决方案,工作组继续发展的建议和努力签署初始成员。展望未来,SEMATECH联盟将有利于EMI的合作伙伴之间建立共识,提供关键数据和讨论论坛达成决定性的协议。

Last Update: 3. October 2011 05:27

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