Heute KLA-Tencor Corporation (NASDAQ: KLAC), der führende Lieferant der Welt von prozesskontrollierten und Ertragsmanagementlösungen für den Halbleiter und die in Verbindung stehenden Industrien, stellten die späteste Generation ihres virtuellen Lithographiehilfsmittels PROLITH vor.
PROLITH X3.1 aktiviert Forscher an den führenden Chip-Herstellern, an den Konsortien und an den Geräteherstellern zu schnell und Fehler suchen kosteneffektiv schwierige Punkte in EUV und in den doppelten kopierenden Lithographie (DPL)prozessen, einschließlich Zeile die Randrauheit (LER) und kopierende Punkte, die mit Wafertopographie verbunden sind. Unter Verwendung PROLITH X3.1 können Lithographers ihre Forschung rationalisieren, wertvolle Lithographiezellbetriebsmittel konservieren und Produktentwicklung beschleunigen.
„Forscher stellen eine enorm komplexe Aufgabe gegenüber, wenn sie die mehrfachen Lithographietechnologien für das 2Xnm und unterhalb der Auslegungsknotenpunkte auswerten,“ angegebener Ed Charrier, Vizepräsident und Generaldirektor KLA-Tencors von der Prozesskontrollierten Informations-Abteilung. „Sie müssen verstehen, wie das Muster, das auf dem Wafer gedruckt wird, durch Prozessauslegung Interaktionen, einschließlich Effekte von Maskenauslegungen, Scanner-Einstellungen beeinflußt wird, Wafertopographie und Varianten widerstehen herein Zusammensetzung. Physik Erstprinzip Gebrauch PROLITH X3.1, zum von Forschern zu helfen, hoch entwickelte Lithographieprozesse, indem sie das Kopieren, nachzuforschen und zu optimieren simuliert resultiert eher als Druckprüfungswafers. Version X3.1 genaue Ergebnisse des Erzeugnisses neuer EUV- und LER-Baumuster in gerade einigem Protokoll - es möglich machend, Produktentwicklungszeit drastisch zu verringern. Außerdem kann diese Strategie die Menge des Scanners, der Spur und DES CD-SEM Hilfsmittels verringern die Zeit, die auf die laufenden Möglichkeitsexperimente umgeleitet wird und die EUV-Zelle für Integration und Prüfung oder die Zelle der optischen Lithographie für zusätzliche Arbeitsläufe freigeben.“
PROLITH X3.1 umfaßt einige Merkmale, die konstruiert werden, um Forschern zu erlauben, verschiedene Lithographietechnologien kosteneffektiv zu studieren:
-- Das erste handelsübliche stochastische Baumuster, das in nimmt
berechnet das Quantumsverhalten der Leuchte und des getrennten Reaktionsmittels
Moleküle im Widerstehung, helfende Forscher:
-- Genau Baumuster LER mit einem Ablauf einigen Protokolls, es machend
praktisch die Auswirkung von verschiedenen Prozessbedingungen auf LER studieren
in einem wirklichen tollen;
-- Forschen Sie Musterdruckwiederholbarkeit nach und studieren Sie die Auswirkung ein
Ertrag;
-- Sagen Sie Zeile und Kontaktfenster CD-Einheitlichkeit voraus;
-- Bestimmen Sie das brauchbare Prozessfenster; und
-- Prüfen Sie, wie unterschiedlich Reaktionsmittelbelastungsniveauaffekt widerstehen Sie
Druck (z.B., bereiten Sie Fenster, CD-Regelung, Defektstufen) auf,
dürfend widerstehen materielle Hersteller erforschen Formulierungen an
beträchtlich Minderkosten;
-- Das erste handelsübliche Photoelektronbaumuster, das simuliert
das Ergebnis von EUV-Lithographie-Prozessen;
-- Intuitive Wafertopographie montierte und verbesserte Wafertopographiebaumuster
das lassen schnelle, einfache Bewertung des doppelten und einzelnen Kopierens zu
nicht planare Lithographiestapel und zukünftige nicht planare Einheiten
wie FinFETs;
-- Die Datenbank von über Hochgenauigkeit 60, kalibriert widerstehen den Baumustern, erhältlich
für unmittelbaren Gebrauch;
-- Intuitive Schnittstelle, die auf einem 32-Bit-PC ausgeführt wird, fähig zur Lieferung
schnelle, genaue Lithographie formt ohne den Bedarf am Computer
Verbesserungen oder Supercomputer; und
-- Erhältlich als Verbesserung für die Industrie-führende PROLITH-Plattform,
Lieferung von extendibility, um das existierende Kapital der Forscher zu schützen
Investitionen.
PROLITH X3.1 ist in KLA-Tencors umfassendem Toolset das späteste, der hoch entwickelte Lithographieherausforderungen anspricht.
Quelle: http://www.kla-tencor.com/