今天，KLA - Tencor公司（納斯達克股票代碼：KLAC），世界領先的供應商過程控制和產量的半導體及相關行業的管理解決方案，推出的最新一代的PROLITH虛擬光刻工具。
PROLITH X3.1讓領先的芯片製造商，大財團和設備製造商的研究人員快速而成本有效地解決具有挑戰性的問題，在EUV和雙重圖形光刻（DPL）進程，包括線邊緣粗糙度（LER）和圖案與晶片地形相關的的問題。使用PROLITH X3.1微影可以簡化他們的研究，節約寶貴的光刻細胞資源，加速產品開發。
“研究人員面臨的一個極其複雜的任務，在評估 2Xnm及以下的設計節點的多個光刻技術”，KLA - Tencor的過程控制信息部副總裁兼總經理埃德Charrier表示。 “他們必須明白印在晶圓上的圖案是如何影響設計過程的相互作用，包括光罩設計，掃描儀設置，晶圓地形和抵制組成的變化的影響。PROLITH X3.1使用了第一的原則物理學，以幫助研究人員調查和先進的光刻工藝優化，通過模擬圖案結果，而不是打印測試晶圓 X3.1版本的新EUV和LER模型，在短短幾分鐘內產生準確的結果 - 。可能，大大縮短了產品開發時間，而且，這一戰略可以減少的金額掃描儀，跟踪和改行運行可行性實驗，釋放 EUV技術集成和測試的細胞，或額外的生產運行光學光刻細胞的CD - SEM工具的時間。“
PROLITH X3.1包括旨在使研究人員能夠成本有效地研究不同的光刻技術的幾個特點：
- 第一個商用的隨機模型，考慮到
帳戶光的量子行為和離散反應物
在分子抵抗，幫助研究人員：
- 模型LER，準確運行的幾分鐘時間，使其
實際，研究各種工藝條件對 LER的影響
在一個真正的工廠;
- 調查圖案印刷的重複性和研究上的影響
產量;
- 預測線和接觸孔CD均勻;
- 確定可用的工藝窗口;
- 檢查不同的抵抗反應物的裝載水平的影響
印刷（例如，工藝窗口，CD控制，缺陷水平），
讓材料製造商，探討抵制配方
顯著降低成本;
- 第一個商用的光電子模型，模擬
EUV光刻工藝的結果;
- 直觀的晶圓地形設置和改善晶圓地形模型
允許快速，方便的雙和單圖案評價
非平面光刻堆棧，和下一代非平面器件
像FinFET元件;
- 60歲以上的高精確度的數據庫，校準抵抗模型，可用
可立即使用;
- 直觀的界面，一個 32位的電腦上運行，能夠提供
快速精確的光刻模型，而不需要計算機
升級或超級計算機;
- 作為業界領先的PROLITH平台升級提供，
提供可擴展性，以保護研究人員的現有資本
投資。
的PROLITH X3.1是KLA - Tencor的全面的工具集，地址先進的光刻技術的挑戰的最新。
來源： http://www.kla-tencor.com/